1.一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，在硅体(3)上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极(6)、中央电极(1)，开合式沟槽电极(6)环绕于中央电极(1)之外，中央电极(1)接负极，开合式沟槽电极(6)接正极，开合式沟槽电极(6)为存在开口、不连续的圆柱结构，开合式沟槽电极(6)与中央电极(1)均贯穿探测器底部；探测器最底端设有二氧化硅保护层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述中央电极(1)为空心的圆柱形，半径是5μm。
3.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述中央电极(1)由铝层和重掺杂硼硅层构成，铝层位于最上层，厚度为1μm；重掺杂硼硅层位于铝层下面，厚度为200μm～500μm。
4.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述开合式沟槽电极(6)为空心圆柱环，开合式沟槽电极(6)的宽度10μm。
5.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述开合式沟槽电极(6)由铝层和重掺杂磷硅层构成，铝层位于最上层，厚度为1μm；重掺杂磷硅层位于铝层下面，厚度为200μm～500μm。
6.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述硅体(3)为p型，硅体(3)由二氧化硅层和轻掺杂硼硅层构成，二氧化硅层位于最上层，厚度为1μm；轻掺杂硼硅层位于二氧化硅层下面，厚度为200μm～500μm。
7.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述二氧化硅保护层(5)厚度为1μm。
8.根据权利要求1所述的一种开合式三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述开合式沟槽电极(6)开口的内侧弧长为3μm～10μm。