技术总结
本发明公开了一种开合式三维沟槽电极硅探测器，在硅体上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极、中央电极，开合式沟槽电极环绕于中央电极之外，中央电极接负极，开合式沟槽电极接正极，开合式沟槽电极为存在开口、不连续的圆柱结构；探测器最底端设有二氧化硅保护层。本发明使死区面积最小，工作时粒子能够双面入射，反应更为灵敏；解决了现有技术中三维硅探测器只能单面刻蚀，粒子只能单面入射，且存在死区，影响探测器探测性能的问题。
技术研发人员：李正;唐立鹏;刘曼文;冯明富
受保护的技术使用者：湘潭大学
文档号码：201611133684
技术研发日：2016.12.10
技术公布日：2017.02.22