双阈值VDMOS器件的制作方法与流程

本发明涉及分立器件技术领域，具体涉及一种双阈值VDMOS器件的制作方法。

背景技术：

VDMOS器件是分立器件的中的一个重要功率器件，使用范围广泛，功率VDMOS器件由于在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点，是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件，它为电子设备提供所需形式的电源和电机设备提供驱动，无论机载、舰载、星用、导弹还是雷达、卫星等武器装备，几乎一切电子设备和电机设备都需要使用功率VDMOS器件。

常规的VDMOS器件是电压控制器件，在栅极施加一定的电压，使器件沟道表面反型，形成连接源区和漏区的导电沟道，其结构如图1。常规VDMOS器件为单阈值电压控制，而随着功率应用设备对多功能性的要求，制备具有双阈值的多功能VDMOS器件具有很大实际应用价值。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种双阈值VDMOS器件的制作方法，该方法打破常规器件单阈值控制，通过设计和工艺实现了VDMOS器件的双阈值电压控制，实现了其多功能的应用，打开了器件多功能应用的大门，简化电路，更进一步推进产品小型化，推广器件的广泛使用。

本发明所采用的技术方案如下：

一种双阈值VDMOS器件的制作方法，该方法首先在外延片上依次沉积栅氧化层和多晶硅，制备多晶硅栅极；然后形成P体区和N+源区，再在多晶硅上淀积绝缘层并在绝缘层两端形成接触孔，接触孔内贱射金属铝；其中：所述P体区的形成过程采用如下步骤后，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件：

(1)第一次光刻：制备多晶硅栅极后，光刻P-离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；

(2)第一次注入：在步骤(1)形成的两个p阱区Ⅰ内注入P型离子，退火后形成两个P体区Ⅰ；

(3)第二次光刻：对步骤(2)形成的一个P体区Ⅰ再次进行光刻，形成P-离子注入窗口；

(4)第二次注入：在步骤(3)形成的P-离子注入窗口中注入P型离子，退火后形成与另一侧具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。

步骤(2)中，在两个p阱区Ⅰ内注入P型离子的种类和剂量相同，形成的两个P体区Ⅰ的掺杂浓度相同。

步骤(3)中形成的P-离子注入窗口与步骤(1)中同侧窗口区域相同。

步骤(4)中注入的P型离子与步骤(2)中注入的P型离子种类相同时，P体区Ⅰ电压VT1<P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT1先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT1，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT2时，整体器件开始导通，阈值电压为VT2。

步骤(4)中注入的P型离子与步骤(2)中注入的P型离子种类不同时，P体区Ⅰ电压VT1>P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT2先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT2，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT1时，整体器件开始导通，阈值电压为VT1。

本发明方法设计思路如下：

P-浓度即VDMOS的沟道浓度，直接决定阈值电压的大小。对VDMOS的P-区进行浓度调整，在不更改整体工艺流程的情况下，实现P-的浓度变化，达到两个自己设计的目标浓度，从而实现双阈值，实现多功能的VDMOS器件。

附图说明

图1为常规VDMOS器件结构示意图。

图2为本发明双阈值VDMOS的结构图。

图中：G为栅极电压，D为漏极电压，S为源电压。

具体实施方式

以下结合附图和实施例详述本发明。

常规VDMOS器件结构如图1，为单阈值控制器件，其制作工艺流程如下：

1、场氧：氧化层800nm，温度1000℃；

2、P+环光刻：第一次光刻，光刻P+环；

3、P+注入：硼注入，注入能量80kev，注入剂量5E13；

4、P⁺退火：温度1150℃，时间2小时，氧化层500nm；

5、Active光刻：第二次光刻，ACT光刻；

6、栅氧化：氧化层100nm，温度850℃；

7、多晶硅淀积：多晶厚度650nm；

8、磷扩散：温度870℃，通源30分钟；

9、p-well光刻：第三次光刻，光刻p-well；

10、p-well注入：硼注入，注入能量80kev，注入剂量8E13；

11、p-well退火：温度1150℃，时间2小时；

12、Source光刻：第四次光刻，源光刻；

13、Source注入：磷注入，注入能量65kev，注入剂量1E16；

14、退火：温度890℃，时间30分钟；

15、PSG淀积：厚度1000nm；

16、PSG退火：温度890℃，时间30分钟；

17、接触孔光刻：第五次光刻，光刻孔；

18、溅射：溅射Al-Si-Cu,厚度3.0μm；

19、金属光刻：第六次光刻，刻金属连线；

20、合金：合金温度420℃，时间30分钟

21、钝化：SIO₂/Si₃N₄双层钝化；

22、钝化光刻：第七次光刻，刻出PAD点；

23、背面减薄：减薄厚度320μm；

24、背面蒸发：TI-NI-Ag三层金属。

在上述现有工艺的基础上，本发明对第9-11步形成P体区的工艺过程进行改进，通过增加一次光刻P-well和再一次的P-注入，根据自己的设计要求，选择注入剂量，最终获得具有两个阈值电压的VDMOS器件(图2)。具体工艺过程以VDMOS的单胞结构说明如下：

(a)第一次光刻：制备多晶硅栅极后，光刻P-离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；

(b)第一次注入：在步骤(1)形成的两个p阱区Ⅰ内注入P型离子，退火后形成两个P体区Ⅰ；在两个p阱区Ⅰ内注入P型离子的种类和剂量相同，形成的两个P体区Ⅰ的掺杂浓度相同。

(c)第二次光刻：对步骤(2)形成的一个P体区Ⅰ再次进行光刻，形成P-离子注入窗口(形成p阱区Ⅱ)；该P-离子注入窗口与步骤(1)中同侧窗口区域相同。

(d)第二次注入：在步骤(3)形成的P-离子注入窗口中(p阱区Ⅱ中)注入P型离子(覆盖另一侧区域不注入)，退火后形成与另一侧具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。

实施例1

步骤(b)中，注入P-的剂量为8E13，工艺全部结束后形成阈值电压3V；

步骤(d)中，注入P-的剂量为6E14，工艺结果后形成P体区Ⅱ的阈值电压为5V。这样就形成了双栅极电压3V和5V。

实施例2

步骤(b)中，注入P-的剂量为1E13，工艺全部结束后形成阈值电压2V；

步骤(d)中，注入P-的剂量为6E13，工艺结果后形成P体区Ⅱ的阈值电压为4V。这样就形成了双栅极电压2V和4V。

本发明器件形成后，会出现两个阈值电压VT1和VT2，关系如下：

(1)步骤(d)中注入的P型离子与步骤(b)中注入的P型离子种类相同时，P体区Ⅰ电压VT1<P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT1先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT1，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT2时，整体器件开始导通，阈值电压为VT2。

(2)步骤(d)中注入的P型离子与步骤(b)中注入的P型离子种类不同时，P体区Ⅰ电压VT1>P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT2先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT2，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT1时，整体器件开始导通，阈值电压为VT1。

为了器件控制方便，可以引出两个电极G1和G2进行器件的控制。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。