双阈值VDMOS器件的制作方法与流程

技术特征：

1.一种双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：该方法首先在外延片上依次沉积栅氧化层和多晶硅，制备多晶硅栅极；然后形成P体区和N+源区，再在多晶硅上淀积绝缘层并在绝缘层两端形成接触孔，接触孔内贱射金属铝；其中：所述P体区的形成过程采用如下步骤后，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件：

(1)第一次光刻：制备多晶硅栅极后，光刻P-离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；

(2)第一次注入：在步骤(1)形成的两个p阱区Ⅰ内注入P型离子，退火后形成两个P体区Ⅰ；

(3)第二次光刻：对步骤(2)形成的一个P体区Ⅰ再次进行光刻，形成P-离子注入窗口；

(4)第二次注入：在步骤(3)形成的P-离子注入窗口中注入P型离子，退火后形成与另一侧具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。

2.根据权利要求1所述的双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(2)中，在两个p阱区Ⅰ内注入P型离子的种类和剂量相同，形成的两个P体区Ⅰ的掺杂浓度相同。

3.根据权利要求1或2所述的双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(3)中形成的P-离子注入窗口与步骤(1)中同侧窗口区域相同。

4.根据权利要求1或2所述的双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(4)中注入的P型离子与步骤(2)中注入的P型离子种类相同时，P体区Ⅰ电压VT1<P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT1先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT1，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT2时，整体器件开始导通，阈值电压为VT2。

5.根据权利要求1或2所述的双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤(4)中注入的P型离子与步骤(2)中注入的P型离子种类不同时，P体区Ⅰ电压VT1>P体区Ⅱ电压VT2，随着栅极电压V_GS的增大，VT2先开启，此时半个器件开始导通，此时阈值电压为VT2，栅极电压V_GS继续增大，当V_GS>VT1时，整体器件开始导通，阈值电压为VT1。