技术总结
本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法，属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件，P体区改进工艺：制备多晶硅栅极后，光刻P‑离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；在两个p阱区Ⅰ内注入P型离子形成两个P体区Ⅰ；在其中一个P体区Ⅰ再次进行光刻，再次注入P型离子后具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。本发明于实现了VDMOS器件的双阈值电压，实现了其多功能的应用，打开了器件多功能应用的大门，简化电路，更进一步推进产品小型化，推广器件的广泛使用。
技术研发人员：唐冬;刘旸;刘昕阳;白羽;徐衡;孔明;郑阳
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十七研究所
文档号码：201611149370
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.17