技术总结
本发明公开了一种提高碳化硅外延兼容性的方法，是在使用时选择外延炉支持的最大尺寸的石墨基座。当放入小尺寸衬底时，放入合适尺寸的填充片，当衬底尺寸和基座尺寸相同时，则不需要加入填充片。本方法通过引入和衬底具有相同掺杂类型、晶面晶向以及表面形貌的填充片的方式，使衬底区域得以延伸，从而使不同尺寸衬底对应的基座以及衬底区域比例接近，使源在实际衬底上的耗尽速率连续变化，避免边缘效应。同时通过填充片的引入，使得源在不同尺寸衬底上方相同位置的浓度相似，从而提高了不同尺寸基座的兼容性；同时也可在多片式外延炉中实现不同尺寸衬底的同时生长，极大程度的减少了片间偏差。
技术研发人员：李赟
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611159138
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2017.05.10