1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；
步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；
步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；
步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)；
步骤5、在所述第一有机缓冲层(50)上形成第二阻隔层(60)，所述第二阻隔层(60)整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)；
所述步骤3中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成类金刚石散射层(40)；
所述类金刚石散射层(40)的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层(40)包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层(41)，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层(42)；所述类金刚石散射层(40)的厚度为10nm-1μm。
2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成第一硅掺杂类金刚石层(30)；
所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的厚度为10nm-100nm。
3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤1中，采用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、或者溅射的方式形成第一阻隔层(20)；
所述第一阻隔层(20)的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层(20)的厚度为0.5μm-1μm；
所述步骤4中，利用喷墨打印、等离子体增强化学气相沉积、或者狭缝涂布的方式形成第一有机缓冲层(50)；所述第一有机缓冲层(50)的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物及聚酯类化合物的上述三者中的一种或多种；所述第一有机缓冲层(50)的厚度为1μm-10μm。
4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤6、在第二阻隔层(60)上形成整面覆盖所述第二阻隔层(60)的第二硅掺杂类金刚石层(70)，在第二硅掺杂类金刚石层(70)上形成整面覆盖所述第二硅掺杂类金刚石层(70)的第二有机缓冲层(80)，在第二有机缓冲层(80)上形成整面覆盖所述第二有机缓冲层(80)的第三阻隔层(90)。
5.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：OLED器件(10)，设于OLED器件(10)上且整面覆盖所述OLED器件(10)的第一阻隔层(20)，设于第一阻隔层(20)上且整面覆盖所述第一阻隔层(20)的第一硅掺杂类金刚石层(30)，设于第一硅掺杂类金刚石层(30)上的类金刚石散射层(40)，设于第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上且整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)的第一有机缓冲层(50)，设于第一有机缓冲层(50)上且整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)的第二阻隔层(60)；
所述类金刚石散射层(40)的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层(40)包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层(41)，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层(42)；所述类金刚石散射层(40)的厚度为10nm-1μm。
6.如权利要求5所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的厚度为10nm-100nm。
7.如权利要求5所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一阻隔层(20)的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层(20)的厚度为0.5μm-1μm；
所述第一有机缓冲层(50)的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物及聚酯类化合物的上述三者中的一种或多种；所述第一有机缓冲层(50)的厚度为1μm-10μm。
8.如权利要求5所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于第二阻隔层(60)上且整面覆盖所述第二阻隔层(60)的第二硅掺杂类金刚石层(70)，设于第二硅掺杂类金刚石层(70)上且整面覆盖所述第二硅掺杂类金刚石层(70)的第二有机缓冲层(80)，设于第二有机缓冲层(80)上且整面覆盖所述第二有机缓冲层(80)的第三阻隔层(90)。