SiGe基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法与流程

文档序号:12726347阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及一种SiGe基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法。该方法包括:选取SiGeOI衬底;在SiGeOI衬底上按照套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串;制作直流偏置线以连接SPiN二极管串与直流偏置电源;制作SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒;制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒,最终形成套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线,通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通,形成等离子天线臂及套筒长度的可调,从而实现天线工作频率的可重构,具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。

技术研发人员:张亮;左瑜
受保护的技术使用者:西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码:201611184362
技术研发日:2016.12.20
技术公布日:2017.06.20

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