1.一种高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，包括地板基板、馈电基板一、馈电基板二、天线基板和金属墙，所述地板基板上表面上设有通过金属墙组成的方形的结构，馈电基板一与馈电基板二设置在金属墙组成的方形结构的内部且与地板基板相垂直，天线基板设于馈电基板一与馈电基板二的上方，天线基板的下表面设有贴片天线，贴片天线的对角线与正交摆放的馈电基板一和馈电基板二位置相重合，馈电基板二正上方的对角线方向上的贴片天线的两个角上开有大小对称的槽；所述馈电基板一包括正面有半包围金属微带线和背面有敷类的环形金属环一，半包围金属微带线的垂直弯折处有作切角处理，在环形金属环一内部设有类倒T型槽的镂空结构，半包围金属微带线的一端连接SMA接头二；所述馈电基板二上敷有关于基板中心镜面对称的Γ型金属微带线，Γ型的金属微带线在距离末端一定距离处设有较短的调谐金属微带线，馈电基板二的两个Γ型金属微带线底端分别通过金属铜柱与地板基板下表面的差分馈电网络连接，在地板基板的上表面设有金属基板，金属基板上金属柱与SMA接头二处进行穿孔；所述地板基板下表面的差分馈电网络的一端接金属柱与Γ型金属微带线连接，另一端与SMA接头一相连。
2.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述馈电基板一与馈电基板二分别在其中间处开有能够使馈电基板一与馈电基板二正交插入固定的凹槽。
3.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述馈电基板一与馈电基板二与贴片天线不直接连接。
4.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述半包围金属微带线将T型槽分割成两个部分进行耦合。
5.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述SMA接头一、SMA接头二均为50欧的SMA接头。
6.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述金属墙为金属铝材料构成，呈栅栏型，栅栏高度分别从墙的两端依次递减至第四个栅栏，其余栅栏高度一致，金属墙围在天线周围，与相邻的金属墙相连接，且与地板基板上的金属基板相连。
7.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述贴片天线所在的基板其敷有金属贴片天线的面朝下。
8.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述T型槽其竖直部分的宽度不一致，水平部分的宽度一致，且上方两个角作切角处理。
9.根据权利要求1所述的高隔离度的紧凑型双极化微基站天线，其特征在于，所述地板基板、馈电基板一、馈电基板二、天线基板的材料都为FRE-4，其相对介电常数为4.4。