1.一种基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，其特征在于，包括介质基片(4)，介质基片(4)的下金属层(5)，介质基片(4)的第一上金属层(1)、第二上金属层(2)、第三上金属层(3)，以及第一排金属化通孔(8)、第二排金属化通孔(9)、第三排金属化通孔(10)；所述第一上金属层(1)、第二上金属层(2)、第三上金属层(3)均为等腰直角三角形，其中第一上金属层(1)、第三上金属层(3)的斜边长度等于第二上金属层(2)的直角边长度，且第一上金属层(1)、第三上金属层(3)的斜边与第二上金属层(2)的两个直角边相邻，拼接为一个矩形；所述第一上金属层(1)与第二上金属层(2)之间的缝隙为第一缝隙(11)，第三上金属层(3)与第二上金属层(2)之间的缝隙为第二缝隙(12)；第二上金属层(2)被第二排通孔(9)所在直线平分为左右两部分，记为第二左侧上金属层和第二右侧上金属层；第一馈电微带线(6)、第二馈电微带线(7)与第二上金属层(2)的斜边相接。
2.根据权利要求1所述的基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，其特征在于，所述第一上金属层(1)、介质基片(4)、下金属层(5)与第一排金属化通孔(8)构成谐振腔，记为二号腔体；第二左侧上金属层、介质基片(4)、下金属层(5)与第二排金属化通孔(9)构成谐振腔，记为一号腔体；第二右侧上金属层、介质基片(4)、下金属层(5)与第二排金属化通孔(9)构成谐振腔，记为四号腔体；第三上金属层(3)、介质基片(4)、下金属层(5)与第三排金属化通孔(10)构成谐振腔，记为三号腔体。
3.根据权利要求2所述的基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，其特征在于，所述第一馈电微带线(6)与第二左侧上金属层相连，第二馈电微带线(7)与第二右侧上金属层相连，两条馈电微带线之间存在耦合路径。
4.根据权利要求2所述的基于八分之一模基片集成波导的单层平面双通带滤波器，其特征在于，所述第一缝隙(11)用来提供一号腔体和二号腔体之间的耦合，第二缝隙(12)用来提供三号腔体和四号腔体之间的耦合。