技术总结
本发明公开了一种晶硅薄膜的制备方法，包括步骤1：在硅片上淀积一层晶硅薄膜；步骤2：采用光刻工艺，在硅片的晶硅薄膜上曝光出条状窗口；步骤3：采用磁控溅射法在窗口内晶硅薄膜上溅射一层金属镍；步骤4：采用激光器对着晶硅薄膜进行辐射照射制备晶硅薄膜；步骤5：将衬板装入腔室，腔室抽至真空度为10‑5托的外延生长系统，对衬板进行加热至250℃~450℃；然后将氢气和SiCl4进行高温热丝催化，SiCl4流量8ml/min，氢气流量15~25ml/min；步骤6：用氯化氢除去残留的金属镍及光刻胶，本发明具有晶硅薄膜量产量大的优点，同时生产时间短，生产制造效率高。
技术研发人员：张群芳
受保护的技术使用者：浙江合特光电有限公司
文档号码：201611249916
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.05.10