技术总结
本实用新型提供一种自热效应检测结构包括：第一导电类型掺杂的衬底；鳍结构，形成于所述衬底上；栅极，横跨所述鳍结构；第二导电类型掺杂的源区及漏区，形成于所述栅极两侧鳍结构中；插塞，形成于所述源区及漏区上；第一测试端，通过插塞连接于所述源区及漏区；第二测试端，连接于所述衬底。本实用新型用于解决现有技术中在热载流子效应测试(HCI test)、负偏温度不稳定性测试(NBTI test)以及正偏温度不稳定性测试(PBTI test)中，自热效应都对测试结果产生很大影响的问题。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201620500587
技术研发日：2016.05.27
技术公布日：2016.12.07