1.一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：包括衬底层(1)，所述衬底层(1)之上设有p-型半导体纳米线(2)，所述p-型半导体纳米线(2)的一端之上设有金电极(3)，所述p-型半导体纳米线(2)的另一端之上设有钝化层(4)，所述钝化层(4)之上设有n-型半导体薄膜(5)，所述n-型半导体薄膜(5)之上设有钛电极(6)。
2.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述衬底层(1)为石英玻璃、带有氧化层的硅片、蓝宝石衬底或者PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)柔性衬底。
3.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述的p-型半导体纳米线(2)为p-型硒化锌(ZnSe)纳米线；所述的p-型半导体纳米线(2)的直径为150-250纳米，长度为15-25微米，空穴浓度为1018-1019cm-3；所述的p-型半导体纳米线(2)在衬底层(1)之上呈水平阵列排布，p-型半导体纳米线平行间隔为1-5微米。
4.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述金电极(3)厚度为50-100纳米。
5.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述钝化层(4)为氮化硅(Si3N4)或氧化铝(Al2O3)层；所述钝化层(4)厚度为4-8纳米；所述钝化层(4)将p-型半导体纳米线(2)的一端均匀包裹。
6.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述n-型半导体薄膜(5)为n-型硫化镉(CdS)薄膜；所述n-型半导体薄膜(5)的厚度为40-100纳米。
7.根据权利要求1所述的一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，其特征在于：所述钛电极(6)的厚度为20-40纳米。