一种阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

平板显示器因其具有体积小、耗电小等优点受到了广泛的应用，平板显示器包括阵列基板，阵列基板上设有多个像素单元和多根信号线，通过该多根信号线可以控制该多个像素单元显示画面。在阵列基板的工作过程中，信号线很容易产生静电荷，当静电荷积累达到一定程度时，会使像素单元无法正常工作，所以需要在阵列基板上设置防静电结构，用以将信号线上的静电荷消散。

防静电结构设置在阵列基板的边缘，其包括短路环和多个防静电电路，每个防静电电路的一端与一根信号线连接，另一端与短路环连接；当某根信号线上的静电荷积累达到一定程度时，与该根信号线连接的防静电电路导通，静电荷可以通过该防静电电路流入短路环，再通过短路环导通其它的防静电电路，然后通过其他的防静电电路将该静电荷分散到其它的信号线，如此将该根信号线产生的静电荷进行分散和消耗。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

防静电结构包括短路环和多个防静电电路两部分结构，为了使静电荷更好的消散，短路环往往设置的较宽，导致布板面积较大，平板显示器的边框较宽。

技术实现要素：

为了解决现有技术的问题，一方面，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

第一信号线和第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电性连接的第一TFT和第二TFT；

所述第一TFT包括通过第一过孔电性连接的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层至少部分交叠，所述第一过孔位于所述交叠区，所述第二TFT包括通过第二过孔电性连接的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层与所述第四导电层至少部分交叠，所述第二过孔位于所述交叠区；

所述第一导电层与所述第一信号线连接，所述第三导电层与所述第二信号线连接；所述第一TFT的栅极位于所述第一导电层上，源极位于所述第二导电层上、漏极位于所述第四导电层上；所述第二TFT的栅极位于所述第三导电层上，漏极位于所述第二导电层上、源极位于所述第四导电层上。

可选的，还包括：第一透明导电层和第二透明导电层；

所述第一透明导电层覆盖部分所述第二导电层和所述第一过孔中露出的所述第一导电层，用于连接所述第一导电层和所述第二导电层；

所述第二透明导电层覆盖部分所述第四导电层和所述第二过孔中露出的所述第三导电层，用于连接所述第三导电层和所述第四导电层。

可选的，所述第一TFT的源极位于所述第二导电层的第一引出部，漏极位于所述第四导电层的第一引出部；

所述第二TFT的漏极位于所述第二导电层的第二引出部，源极位于所述第四导电层的第二引出部。

可选的，所述第二导电层的一端和所述第四导电层的一端形成2字形槽，使所述第二导电层的一端形成有两个端面且所述两个端面均与所述第一信号线平行；

所述两个端面中靠近所述第一信号线的一端面为所述第一引出部，另一端面为所述第二引出部。

可选的，所述第二导电层的第一引出部和第二引出部、所述第四导电层的第一引出部和第二引出部均为尖点结构。

可选的，还包括：在所述第一导电层和所述第三导电层D上形成的栅绝缘层。

可选的，还包括：在所述栅绝缘层上形成的所述第一TFT的第一有源层和所述第二TFT的第二有源层。

可选的，还包括：公共电极线，所述公共电极线通过TFT与其最近的信号线电性连接。

可选的，所述第一导电层的宽度和所述第二导电层的宽度相等，所述第一导电层的宽度方向和所述第二导电层的宽度方向均与所述第一信号线平行。

可选的，还包括：在所述第二导电层和所述第四导电层上形成的钝化层。

另一方面，本实用新型实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板。

另一方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过在任意相邻的两根信号线之间设有第一TFT和第二TFT，第一TFT连接第一信号线和第二信号线且其栅极与第一信号线连接，第二TFT连接第一信号线和第二信号线且其栅极与第二信号线连接。这样当第一信号线上产生较多的静电荷时，第一TFT导通并将静电荷分散到第二信号线，当第二信号线上产生较多的静电荷时，第二TFT导通并将静电荷分散到第一信号线，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时第一TFT和第二TFT会消耗一部分静电荷，可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例一提供的第一防静电电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的第一防静电电路的电路图；

图3是本实用新型实施例一提供的第一防静电电路的A1-A2向剖视图；

图4是本实用新型实施例一提供的第一导电层和第三导电层的结构示意图；

图5是本实用新型实施例一提供的第二导电层和第四导电层的结构示意图；

图6是本实用新型实施例二提供的第一防静电电路的结构示意图；

图7是本实用新型实施例二提供的第二导电层和第四导电层的结构示意图。

其中，

C第一导电层；

D第三导电层；

E栅绝缘层；

F第二导电层，F1第二导电层的第一引出部，F2第二导电层的第二引出部，F3第二导电层的第三引出部，F4第二导电层的第四引出部；

G第四导电层，G1第四导电层的第一引出部，G2第四导电层的第二引出部，G3第四导电层的第三引出部，G4第四导电层的第四引出部；

H钝化层；

I第一过孔；

J第一透明导电层；

Q第二透明导电层；

N玻璃基板；

S1第一信号线；S2第二信号线；S3第三信号线；S4第四信号线；

1第一TFT，11第一TFT的源极，12第一TFT的漏极，13第一TFT的栅极，14第一有源层；

2第二TFT，21第二TFT的漏极，22第二TFT的源极，23第二TFT的栅极，24第二有源层；

3第三TFT，31第三TFT的源极，32第三TFT的漏极；

4第四TFT，41第四TFT的漏极，42第四TFT的漏极；

5第五TFT，51第五TFT的源极；

6第六TFT。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

如图1所示，且参见图2，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：

第一信号线S1和第二信号线S2、与第一信号线S1和第二信号线S2电性连接的第一TFT1和第二TFT2；

第一TFT1包括通过第一过孔I电性连接的第一导电层C和第二导电层F，第一导电层C与第二导电层F至少部分交叠，第一过孔I位于该交叠区，第二TFT2包括通过第二过孔Q电性连接的第三导电层D和第四导电层G，第三导电层D与第四导电层G至少部分交叠，第二过孔Q位于该交叠区；

第一导电层C与第一信号线S1连接，第三导电层D与第二信号线S2连接；第一TFT1的栅极位于第一导电层C上，源极位于第二导电层F上、漏极位于第四导电层G上；第二TFT2的栅极位于第三导电层D上，漏极位于第二导电层F上、源极位于第四导电层G上。

其中，第一导电层C的宽度和第二导电层F的宽度相等或基本相等，第一导电层C的宽度方向和第二导电层F的宽度方向均与第一信号线S1平行；第三导电层D的宽度和第四导电层G的宽度相等或基本相等，第三导电层D的宽度方向和第四导电层G的宽度方向均与第二信号线S2平行。

本实用新型实施例中的阵列基板中，任意相邻的两根信号线之间设有第一TFT1和第二TFT2，第一TFT1连接第一信号线S1和第二信号线S2，第二TFT2也连接第一信号线S1和第二信号线S2。当第一信号线S1上产生较多的静电荷时，由于第一TFT1的栅极与第一信号线S1相连，第一TFT1导通将静电荷分散到第二信号线S2；当第二信号线S2上产生较多的静电荷时，由于第二TFT2的栅极与第二信号线S2相连，第二TFT2导通将静电荷分散到第一信号线S1，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时第一TFT1或第二TFT2会消耗一部分静电荷，如此可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。

如图2所示，阵列基板包括多组相邻的信号线，例如第一信号线S1与第二信号线S2相邻，第三信号线S3与第一信号线S1相邻，第四信号线S4与第二信号线S2相邻，每两根相邻的信号线之间都设有TFT，若第一信号线S1上积累了一定量的静电荷后，位于第一信号线S1与第二信号线S2之间的TFT和位于第一信号线S1与第三信号线S3之间的TFT会消耗一部分静电荷，同时将静电荷分散到第二信号线S2和第三信号线S3上，此过程不断进行，将静电荷分散到第四信号线S4和与第三信号线S3相邻的另一根信号线上，如此将静电荷分散和消耗，防止静电荷积累的现象发生。

可选地，阵列基板还包括公共电极线，公共电极线位于阵列基板上，可以与阵列基板上的信号线平行设置，公共电极线通过TFT与公共电极线最近的信号线连接。

为了保证信号线上产生的静电荷可以更好的消散，可以通过一个TFT将公共电极线和与公共电极线最近的信号线连接起来，当静电荷分散到该根信号线上时，通过该TFT将静电荷分散到公共电极线上，更好的起到将静电荷消散的作用。

可选地，信号线包括数据线或者扫描线。

如图1所示，且参见图3和图4，可以在玻璃基板N上形成第一导电层C和第三导电层D；

第一TFT1的栅极13和第一信号线S1位于第一导电层C，第二TFT2的栅极23和第二信号线S2位于第三导电层D；

第一导电层C和第三导电层D位于同一平面上。

可以通过构图工艺形成第一导电层C和第三导电层D的形状，使第一导电层C同时作为第一信号线S1和第一TFT1的栅极13，使第三导电层D同时作为第二信号线S2和第二TFT2的栅极23。

可选地，第一导电层C和第三导电层D可以通过一次构图工艺同时形成。

其中，位于第一信号线S1和第二信号线S2之间的第一导电层C用于形成第一TFT1的栅极13，而位于第一信号线S1和第三信号线S3之间的第一导电层C用于形成第三TFT3的栅极，同理，第三导电层D分别用于形成第二TFT2的栅极23和第五TFT5的栅极。

形成了第一TFT1的栅极13和第二TFT2的栅极23后，在第一导电层C和第三导电层D上形成栅绝缘层E的图形，在栅绝缘层E上形成第一TFT1的第一有源层14的图形和第二TFT2的第二有源层24的图形，再在第一有源层14上形成第一TFT1的源极11和漏极12，在第二有源层24上形成第二TFT2的源极21和漏极22。

可选地，可以通过如下结构形成第一TFT1的源极11、漏极12和第二TFT2的源极21、漏极22：

如图1所示，且参见图3和图5，通过构图工艺形成第二导电层F和第四导电层G的图形；

第一TFT1的源极11位于第二导电层F的第一引出部F1，第一TFT1的漏极12位于第四导电层G的第一引出部G1；

第二TFT2的漏极21位于第二导电层F的第二引出部F2，第二TFT2的源极22位于第四导电层G的第二引出部G2；

第二导电层F与第一信号线S1线相连，第四导电层G与第二信号线S2相连。

如图1所示，且参见图3和图5，第二导电层F包括四个引出部，分别为第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4；

第四导电层G包括四个引出部，分别为第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4；

其中第二导电层F的第一引出部F1和第二引出部F2，第四导电层G的第一引出部G1和第二引出部G2位于第一信号线S1和第二信号线S2之间，且第二导电层F的第一引出部F1位于第一有源层14的一端上的部分形成第一TFT1的源极11，第四导电层G的第一引出部G1位于第一有源层14的另一端上的部分形成第一TFT1的漏极12，第二导电层F的第二引出部F2位于第二有源层24的一端上的部分形成第二TFT2的漏极21，第四导电层G的第二引出部G2位于第二有源层24的另一端上的部分形成第二TFT2的源极22。

同理，如图1所示，且参见图2和图5，第二导电层F的第三引出部F3和第四引出部F4位于第一信号线S1和第三信号线S3之间，第二导电层F的第三引出部F3用于形成第三TFT3的源极31，第二导电层F的第四引出部F4用于形成第四TFT4的漏极41；第四导电层G的第三引出部G3用于形成第五TFT5的源极51，第四导电层G的第四引出部G4用于形成第六TFT6的漏极，在此不在重复叙述。

可选的，参见图5，第二导电层F的一端和第四导电层G的一端形成2字形槽，使第二导电层F的一端形成有两个端面且该两个端面均与第一信号线S1平行，以及使第四导电层G的一端形成有两个端面且该两个端面均与第二信号线S2平行。

其中，第二导电层F上的两个端面中靠近第一信号线S1的一端面为第一引出部F1，另一端面为第二引出部F2。第四导电层G上的两个端面中靠近第二信号线S2的一端面为第二引出部G2，另一端面为第一引出部G1。

可选地，如图1所示，且参见图3和图5，第二导电层F的第一引出部F1可以形成在第一有源层14的一端之上，此时第二导电层F形成阶梯结构，或者，第二导电层F的第一引出部F1的一端可以与第一有源层14的一端相接触，此时第二导电层F为一个平面结构。第四导电层G的第一引出部G1可以形成在第一有源层14的另一端之上，此时第四导电层G形成阶梯结构，或者，第四导电层G的第一引出部G1的一端可以与第一有源层14的另一端相接触，此时第四导电层G为一个平面结构。

可选地，如图3所示，在第二导电层F和第四导电层G上形成钝化层H的图形，保护第一TFT1的源极11、漏极12和第二TFT2的漏极21、源极22。

可选地，可通过如下结构来使第一TFT1的源极11与第一信号线S1相连、漏极12与第二信号线S2相连，第二TFT2的漏极21与第一信号线S1相连，源极22与第二信号线S2相连：

如1图所示，且参见图3，在位于第一信号线S1和第二信号线S2之间、位于第一导电层C之上的栅绝缘层E、位于该栅绝缘层E之上的第二导电层F和钝化层H上形成第一过孔I，露出部分第一导电层C，可通过构图工艺形成第一过孔I，在通过构图工艺刻蚀钝化层H时，同时露出部分第二导电层F，再在第一过孔I处形成第一透明导电层J，使第一透明导电层J通过第一过孔I覆盖在露出的第一导电层C上且与露出的第二导电层F相连；因为第一信号线S1是用第一导电层C形成的，第一TFT1的源极11是使用第二导电层F形成的，因此通过第一透明导电层J将第二导电层F和第一导电层C连接起来可以实现将第一TFT1的源极11与第一信号线S1相连；因为第二TFT2的漏极21是使用第二导电层F形成的，因此通过第一透明导电层J将第二导电层F和第一导电层C连接起来可以实现将第二TFT2的漏极21与第一信号线S1相连；

在位于第一信号线S1和第二信号线S2之间的栅绝缘层E、位于第三导电层D之上的栅绝缘层E、位于该栅绝缘层E之上的第四导电层G和钝化层上形成第二过孔Q，露出部分第三导电层D，可通过构图工艺形成第二过孔Q，在通过构图工艺刻蚀钝化层时，同时露出部分第四导电层G，再在第二过孔Q处形成第二透明导电层P，使第二透明导电层P通过第二过孔覆盖在露出的第三导电层D上且与露出的第四导电层G相连；因为第二信号线S2是用第三导电层D形成的，第二TFT2的源极22是使用第四导电层G形成的，因此通过第二透明导电层P将第四导电层G和第三导电层D连接起来可以实现将第二TFT2的源极22与第二信号线S2相连；因为第一TFT1的漏极12是使用第四导电层G形成的，因此通过第二透明导电层P将第四导电层G和第三导电层D连接起来可以实现将第一TFT1的漏极12与第二信号线S2相连。

同理，在第二导电层F上形成第三过孔，在第三过孔上形成第三透明导电层，通过该第三透明导电层将第二导电层F和第一导电层C连接起来实现将第三TFT3的源极31与第一信号线S1相连；在第四导电层G层形成第四过孔，在第四过孔上形成第四透明导电层，通过该第四透明导电层将第四导电层G和第三导电层D连接起来实现将第五TFT5的源极51与第二信号线S2相连。

本实用新型实施例中的阵列基板包括多个防静电电路，其中任意相邻的两根信号线之间设有TFT，该TFT连接第一信号线S1和第二信号线S2，当第一信号线S1上产生较多的静电荷时，该TFT将静电荷分散到第二信号线S2，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时防静电电路会消耗一部分静电荷，如此可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。

实施例二

如图6所示，且参见图7，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括多根信号线，以及位于多根信号线中的任意相邻的两根信号线之间的TFT；

对于该任意相邻的两根信号线，为了便于表述，将该任意相邻的两根信号线分别称为第一信号线S1和第二信号线S2，连接第一信号线S1和第二信号线S2之间的TFT称为第一TFT和第二TFT。

本实施例中的阵列基板所包含的具体部件与实施例一中的阵列基板所包含的具体部件相同，在此不再重复。

与实施例一中不同的是，本实施例中的第二导电层F的第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4，以及第四导电层G的第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4均为尖点结构。

由于尖点处可以聚集大量电荷，因此将第二导电层F的第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4；第四导电层G的第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4设计成尖点结构，可以使TFT在形成相同电流的情况下，尖点结构对应的沟道尺寸更小，进而减小第一防静电电路A的尺寸，降低位于任意相邻的两根信号线之间的防静电电路的尺寸。

本实用新型实施例中的阵列基板中，任意相邻的两根信号线之间设有TFT，该TFT连接第一信号线S1和第二信号线S2，当第一信号线S1上产生较多的静电荷时，该TFT将静电荷分散到第二信号线S2，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时防静电电路会消耗一部分静电荷，如此可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。

实施例三

本实用新型实施了提供了一种平板显示器，该平板显示器包括上述任一实施例中描述的阵列基板。

本实用新型实施例中的阵列基板中，任意相邻的两根信号线之间设有TFT，该TFT连接第一信号线S1和第二信号线S2，当第一信号线S1上产生较多的静电荷时，该TFT将静电荷分散到第二信号线S2，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时防静电电路会消耗一部分静电荷，如此可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。

上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。