1.一种减少漏磁通的干式中频电抗器，包括一电抗器器体，其特征在于，所述电抗器器体包括一磁粉芯，所述磁粉芯的横截面呈环形，所述磁粉芯外绕制有漆包圆铜线，所述漆包圆铜线的根数不小于128根，所述漆包圆铜线的直径在1.39mm～1.41mm之间。
2.根据权利要求1所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述磁粉芯采用环形硅铁磁粉芯。
3.根据权利要求1所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述漆包圆铜线绕制在所述磁粉芯外的匝数不少于14匝。
4.根据权利要求1所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述电抗器器体还设有一壳体，所述壳体内设置有所述磁粉芯，所述壳体下方设有一用于固定电抗器器体的底座，所述底座设有至少四个用于穿过螺栓的通孔。
5.根据权利要求4所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述壳体的高度在289mm～293mm之间，所述壳体的宽度在169mm～171mm之间，所述壳体的长度在269mm～271mm之间。
6.根据权利要求4所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述底座呈一板状体，至少四个所述通孔均匀设置在所述底座的外侧，至少四个所述通孔呈椭圆状，至少四个所述通孔的宽度在10mm～12mm之间。
7.根据权利要求4所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述底座的宽度在169mm～171mm之间，所述底座的长度在364mm～366mm之间。
8.根据权利要求1所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述漆包圆铜线绕制成一线圈，所述线圈的内侧设有一温度传感器，所述温度传感器设置在所述磁粉芯与所述线圈之间。
9.根据权利要求8所述的一种减少漏磁通的干式中频电抗器，其特征在于，所述温度传感器连接一信号处理模块，所述信号处理模块连接所述电抗器器体的电能输入端。