1.一种晶体硅电池的表面结构，其特征在于，包括受光面(1)，所述受光面(1)包括与电极接触的接触区域(11)和未与电极接触的非接触区域(12)，所述接触区域(11)为纳米绒面结构(13)，所述非接触区域(12)为微米绒面结构(14)或亚微米绒面结构。
2.如权利要求1所述的晶体硅电池的表面结构，其特征在于，所述纳米绒面结构(13)在垂直于受光面(1)的方向上的高度为10nm～500nm，在平行于受光面(1)的方向上的长度和宽度均为10nm～500nm。
3.如权利要求1-2任一项所述的晶体硅电池的表面结构，其特征在于，所述受光面(1)由单晶硅经过碱制绒形成，所述纳米绒面结构(13)为底边的长度一致的均匀金字塔绒面结构。
4.如权利要求3所述的晶体硅电池的表面结构，其特征在于，所述微米绒面结构(14)在垂直于受光面(1)的方向上的高度为1μm～5μm，在平行于受光面(1)的方向上的长度和宽度均为1μm～5μm。
5.如权利要求1-2任一项所述的晶体硅电池的表面结构，其特征在于，所述受光面(1)由多晶硅酸制绒形成，所述纳米绒面结构(13)为矩形状的虫孔绒面结构。
6.如权利要求5所述的晶体硅电池的表面结构，其特征在于，所述微米绒面结构(14)在垂直于受光面(1)的方向上的高度为0.7μm～5μm，在平行于受光面(1)的方向上的长度和宽度均为0.7μm～5μm。
7.一种晶体硅电池片，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的晶体硅电池的表面结构。
8.一种太阳能电池，其特征在于，包括权利要求7所述的晶体硅电池片。