1.一种高功率半导体自倍频激光器，其特征在于，包括沿光轴依次排列的高功率半导体增益介质、聚焦透镜和自倍频晶体器件，在该高功率半导体增益介质背对聚焦透镜的一端镀有泵浦光高反射介质膜，另一端镀有泵浦光高透过介质膜；在该自倍频晶体器件面对聚焦透镜的一端镀有泵浦光高透过、基频光高反射和倍频光高反射介质膜，另一端镀有双面镀有泵浦光高反射、基频光高反射和倍频光高透过介质膜；所述的聚焦透镜的一个焦点位于高功率半导体增益介质的带有泵浦光高反射膜的一端，聚焦透镜的另一个焦点位于自倍频晶体器件的带有倍频光高透过膜的一端；该聚焦透镜的双面镀有泵浦光的高透过膜。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体自倍频激光器，其特征在于，所述的半导体增益介质包括具有一个或多个带有散热座的半导体增益介质器件的阵列；所述的聚焦透镜包括球面镜、非球面镜或Grin透镜；所述的自倍频晶体器件包括掺钕硼酸氧钙钆晶体器件或掺钕硼酸氧钙钇晶体器件。
3.根据权利要求1所述的高功率半导体自倍频激光器，其特征在于，所述的泵浦光的波长为808nm，基频光的波长为1064nm，倍频光的波长为530nm。