技术总结
本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
技术研发人员：黄华茂;王洪;胡晓龙;杨倬波;文如莲;施伟
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201621427730
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.08.18