共模噪声滤波器的制作方法

本公开涉及数字设备、av设备、信息通信终端等各种电子设备中使用的小型且薄型的共模噪声滤波器。

背景技术：

如图5所示，现有的共模噪声滤波器具有：多个绝缘体层1、3个独立的线圈2～4。并且，线圈2通过将线圈导体2a、2b电连接来形成，线圈3通过将线圈导体3a、3b电连接来形成，线圈4通过将线圈导体4a、4b电连接来形成。并且，线圈导体2a、线圈导体3a、线圈导体4a、线圈导体2b、线圈导体3b、线圈导体4b从下方起按照线圈导体2a、线圈导体2b、线圈导体3a、线圈导体3b、线圈导体4a、线圈导体4b的顺序层叠。

另外，作为与本公开有关的在先技术文献，例如已知专利文献1。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：jp特开2003-77727号公报

技术实现要素：

本公开的共模噪声滤波器的一方式具有：第1绝缘体层；第2绝缘体层，形成于第1绝缘体层的下方；第1线圈，第1线圈导体与第2线圈导体电连接而形成；第2线圈，第3线圈导体与第4线圈导体电连接而形成；和第3线圈，第5线圈导体与第6线圈导体电连接而形成。并且，第1线圈、第2线圈、第3线圈相互电独立。第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体从外侧起按照第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体的顺序排列，螺旋状地形成于第1绝缘体层。第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体具有相互平行地配置的区域。第2线圈导体、第4线圈导体以及第6线圈导体从外侧起按照第6线圈导体、第4线圈导体以及第2线圈导体的顺序排列，形成于第2绝缘体层。第2线圈导体、第4线圈导体以及第6线圈导体具有相互平行地配置的区域。第1线圈导体与第6线圈导体具有俯视下相互重叠的区域。第2线圈导体与第5线圈导体具有俯视下相互重叠的区域。

本公开的共模噪声滤波器的另一方式具备：第1绝缘体层；第2绝缘体层，形成于第1绝缘体层的下方；第1线圈，第1线圈导体与第2线圈导体电连接而形成；第2线圈，第3线圈导体与第4线圈导体电连接而形成；和第3线圈，第5线圈导体与第6线圈导体电连接而形成。第1线圈、第2线圈、第3线圈相互电独立。第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体从外侧起按照第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体的顺序排列，螺旋状地形成于第1绝缘体层。第1线圈导体、第3线圈导体以及第5线圈导体具有相互平行地配置的区域。第2线圈导体、第4线圈导体以及第6线圈导体从外侧起按照第4线圈导体、第6线圈导体以及第2线圈导体的顺序排列，形成于第2绝缘体层。第2线圈导体、第4线圈导体以及第6线圈导体具有相互平行地配置的区域。第1线圈导体与第4线圈导体具有俯视下相互重叠的区域。第3线圈导体与第6线圈导体具有俯视下相互重叠的区域。第5线圈导体与第2线圈导体具有俯视下相互重叠的区域。

附图说明

图1是实施方式1中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。

图2是实施方式1的变形例中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。

图3是实施方式2中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。

图4是实施方式2的变形例中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。

图5是现有的共模噪声滤波器的分解立体图。

图6是其它的共模噪声滤波器的分解立体图。

具体实施方式

在本实施方式的说明之前，对专利文献1中所述的技术的问题点进行说明。

参照图5，针对上述的现有的共模噪声滤波器，在线圈2与线圈4之间配置线圈3。因此，线圈2与线圈4的距离较远，线圈2与线圈4几乎不会磁耦合。由于在线圈2与线圈3之间相邻的位置仅是1个位置，在线圈3与线圈4之间相邻的位置仅是1个位置，因此线圈2与线圈3、以及线圈3与线圈4的磁耦合较小。因此，共模分量的阻抗不高，其结果，共模噪声的除去特性较低。

因此，如图6所示，考虑其它的共模噪声滤波器的构成。以下，对图6所示的共模噪声滤波器进行说明。

线圈导体2a、线圈导体3a、线圈导体4a、线圈导体2b、线圈导体3b、线圈导体4b从下面起依次层叠。另外，线圈导体2a和线圈导体2b构成线圈2，线圈导体3a和线圈导体3b构成线圈3，线圈导体4a和线圈导体4b构成线圈4。

在图6所示的共模噪声滤波器中，线圈2与线圈3相邻的位置为2个位置，线圈3与线圈4相邻的位置为2个位置。因此，相比于图5所示的共模噪声滤波器，图6所示的共模噪声滤波器的磁耦合更强。

但是，由于线圈2与线圈4相邻的位置仅为1个位置，因此该位置的磁耦合相比于线圈2与线圈3相邻的位置以及线圈3与线圈4相邻的位置的磁耦合变小。换句话说，在图6所示的共模噪声滤波器中，各线圈间的磁耦合的平衡不好。

(实施方式1)

以下，参照图1来对实施方式1的共模噪声滤波器进行说明。

图1是实施方式1中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。另外，图1表示从上面分别观察形成线圈导体的绝缘体层11、绝缘体层12、绝缘体层17的图。

从上方起依次层叠绝缘体层11、绝缘体层12、绝缘体层17。在绝缘体层11，形成螺旋状的线圈导体13a、螺旋状的线圈导体14a以及螺旋状的线圈导体15a。在绝缘体层12，形成螺旋状的线圈导体13b、螺旋状的线圈导体14b、螺旋状的线圈导体15b。通过线圈导体13a与线圈导体13b电连接，来形成线圈13。此外，通过线圈导体14a与线圈导体14b电连接，来形成线圈14。进一步地，通过线圈导体15a与线圈导体15b电连接，来形成线圈15。另外，线圈13、线圈14、线圈15相互电独立。

换句话说，本实施方式的共模噪声滤波器具有：绝缘体层11、形成于绝缘体层11的下方的绝缘体层12、线圈导体13a与线圈导体13b电连接而形成的线圈13、线圈导体14a与线圈导体14b电连接而形成的线圈14、和线圈导体15a与线圈导体15b电连接而形成的线圈15。

并且，线圈13、线圈14、线圈15相互电独立。线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a从外侧起按照线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a的顺序排列，螺旋状地形成于绝缘体层11。线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a具有相互平行地配置的区域。

另外，虽然线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a相互平行地配置，但端部并不必局限于如本实施方式这样平行地配置。

对线圈导体的配置进一步详细地进行说明。线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a这3根线圈导体为一组。并且，3根线圈导体为一组并螺旋状地配置。并且，螺旋形状的一组线圈导体从外侧起按照线圈导体13a、14a、15a的顺序而被配置。对于后述的其他实施方式也是同样的。

线圈导体13b、线圈导体14b以及线圈导体15b从外侧起按照线圈导体15b、线圈导体14b以及线圈导体13b的顺序排列，形成于绝缘体层12。线圈导体13b、线圈导体14b以及线圈导体15b具有相互平行地配置的区域。

另外，虽然在本实施方式中，线圈导体13b、线圈导体14b以及线圈导体15b被相互平行地配置，但端部存在不能平行配置的情况。

线圈导体13a和线圈导体15b具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体13b和线圈导体15a具有俯视下相互重叠的区域。换句话说，线圈导体13a和线圈导体15b在布线的关系上，具有俯视下不重叠的部分。对于线圈导体13b和线圈导体15a也是同样的。

绝缘体层11、12被层叠为彼此相邻，由构成为片状的cu-zn铁氧体、玻璃陶瓷等非磁性材料或者ni-cu-zn铁氧体等磁性材料构成。并且，绝缘体层12位于绝缘体层11的下方。

线圈导体13a、线圈导体14a、线圈导体15a形成于绝缘体层11。线圈导体13b、线圈导体14b、线圈导体15b形成于绝缘体层12。

进一步地，通过将银等导电材料在绝缘体层11上镀覆或者印刷为1匝以上或者不到1匝的螺旋状，来构成线圈导体13a、14a、15a。与绝缘体层11同样地，通过将银等导电材料在绝缘体层12上镀覆或者印刷为1匝以上或者不到1匝的螺旋状，来构成线圈导体13b、14b、15b。

线圈13由线圈导体13a和线圈导体13b构成，线圈14由线圈导体14a和线圈导体14b构成，线圈15由线圈导体15a和线圈导体15b构成。

进一步地，线圈导体13a和线圈导体13b通过形成于绝缘体层11的过孔电极16a来电连接。线圈导体14a和线圈导体14b通过形成于绝缘体层11的过孔电极16b来电连接。线圈导体15a和线圈导体15b通过形成于绝缘体层11的过孔电极16c来电连接。

如以上那样，在实施方式1的共模噪声滤波器中，设置相互电独立的线圈13、线圈14以及线圈15，线圈13与线圈14、线圈14与线圈15、线圈15与线圈13分别相互磁耦合。

并且，在绝缘体层11，被设置为线圈导体13a的内侧与线圈导体14a大致平行并且相互不短路，线圈导体14a的进一步内侧与线圈导体15a大致平行并且相互不短路。也就是说，在将线圈导体13a、14a、15a设为一个组的情况下，该1组为螺旋状，螺旋方向在俯视下各导体中流过的电流的方向相同。

与绝缘体层11同样地，在绝缘体层12中，也被设置为线圈导体15b的内侧与线圈导体14b大致平行并且相互不短路，线圈导体14b的进一步内侧与线圈导体13b大致平行并且相互不短路。

换句话说，在绝缘体层11，从外侧起，线圈导体13a、线圈导体14a、线圈导体15a依次几乎平行地配置，在绝缘体层12，从外侧起，线圈导体15b、线圈导体14b、线圈导体13b依次几乎平行地配置。

在绝缘体层11，从外侧起依次形成线圈13、线圈14、线圈15，在绝缘体层12，从外侧起依次形成线圈15、线圈14、线圈13。

并且，线圈导体13a与线圈导体15b在俯视下主要部分重叠，线圈导体15a与线圈导体13b在俯视下主要部分重叠。

进一步地，在绝缘体层12的下方形成绝缘体层17。在绝缘体层17，设置经由过孔电极18a来连接于线圈导体13b的引出用的导体23c。此外，在绝缘体层17，设置经由过孔电极18b来连接于线圈导体14b的引出用的导体24c。进一步地，在绝缘体层17，设置经由过孔电极18c来连接于线圈导体15b的引出用的导体25c。

导体23c构成线圈13的一部分，导体24c构成线圈14的一部分，导体25c构成线圈15的一部分。

另外，也可以根据需要，其他绝缘体层层叠于绝缘体层11、12、17的上表面或者下表面，来形成层叠体(未图示)。在层叠体(未图示)的两端面，设置连接于线圈13、14或者15的端部的6个外部电极(未图示)。

此外，其他绝缘体层以及绝缘体层11、12、17分别由非磁性材料或者磁性材料的任意构成。

如上所述，在本公开的实施方式1中的共模噪声滤波器中，线圈导体14a与在同一平面上几乎平行地配置的线圈导体13a相邻，线圈导体14b与在同一平面上几乎平行地配置的线圈导体13b相邻。其结果，线圈14与线圈13在2个位置相邻。

此外，同样地，线圈导体14a与在同一平面上几乎平行地配置的线圈导体15a相邻，线圈导体14b与在同一平面上几乎平行地配置的线圈导体15b相邻。其结果，线圈14与线圈15也在2个位置相邻。

另一方面，关于线圈导体13a和线圈导体15a，在同一平面上，在相同的匝数彼此不相邻。同样地，线圈导体13b和线圈导体15b，在同一平面上，在相同的匝数彼此不相邻。但是，线圈导体13a与线圈导体15b在俯视下重叠，并且，线圈导体15a与线圈导体13b在俯视下重叠。线圈13与线圈15在俯视下在2个位置重叠。

因此，在本实施方式的共模噪声滤波器中，在3个线圈之间能够使其平衡良好地磁耦合。

也就是说，线圈13与线圈14相邻的位置是绝缘体层11的1个位置和绝缘体层12的1个位置的合计2个位置，线圈14与线圈15相邻的位置也是绝缘体层11的1个位置和绝缘体层12的1个位置的合计2个位置。此外，在从线圈的外周向内周的相同的匝数部分，线圈13与线圈15相邻的位置在绝缘体层11以及绝缘体层12的任意同一平面上不存在。但是，由于线圈13与线圈15相互对置，因此在线圈导体13a与线圈导体15b之间的1个位置、和线圈导体15a与线圈导体13b之间的1个位置的合计2个位置，线圈13与线圈15相邻。因此，3个线圈间的相互相邻的位置的数量相同，相互的磁耦合的强度几乎相同。

另外，在上述说明中，作为在同一绝缘体层上线圈相邻的位置，仅针对从外周向内周相同的匝数部分进行计数。由于若匝数不同，则从电极到线圈导体的长度较大不同，因此相位较大不同。由于在相位不同的线圈之间，几乎不产生磁耦合，因此不计数为线圈相邻的位置的数量。例如，在绝缘体层11上，虽然从外侧起第1匝的线圈导体15a与从外侧起第2匝的线圈导体13a相邻，但不将该位置计数为相邻的位置。

优选线圈导体13a与线圈导体15b之间的距离、线圈导体15a与线圈导体13b之间的距离、线圈导体13a与线圈导体14a之间的距离、线圈导体14a与线圈导体15a之间的距离、线圈导体13b与线圈导体14b之间的距离、线圈导体14b与线圈导体15b之间的距离大致相同。

(实施方式1的变形例)

接下来，参照图2来对实施方式1的变形例进行说明。图2是实施方式1的变形例中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。另外，针对与实施方式1同样的构成，付与同一符号并省略说明。

相对于在图1所示的实施方式1中，在绝缘体层17形成引出用的导体23c、24c、25c，在图2所示的实施方式1的变形例中，在绝缘体层17形成螺旋状的线圈导体13c、14c、15c。

在绝缘体层17，从外侧起依次配置构成线圈13的线圈导体13c、构成线圈14的线圈导体14c、构成线圈15的线圈导体15c，线圈导体13c、线圈导体14c、线圈导体15c相互几乎平行地配置。另外，在本变形例中，线圈导体13c、线圈导体14c、线圈导体15c的端部不平行地配置。线圈导体13c、线圈导体14c、线圈导体15c的全部不必局限于平行配置。针对后述的实施方式以及变形例也是同样的。

换句话说，本变形例的共模噪声滤波器具有：形成于绝缘体层12的下方的绝缘体层17、形成线圈13的线圈导体13c、形成线圈14的线圈导体14c、以及形成线圈15的线圈导体15c。并且，线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c从外侧起按照线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c的顺序排列，螺旋状地形成于绝缘体层17。并且，线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c具有相互平行地配置的区域。

并且，在本变形例中，线圈导体13c与线圈导体15b被配置为俯视下相互重叠，线圈导体15c与线圈导体13b被配置为俯视下相互重叠。

另外，虽然在本变形例中，线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c被配置为相互平行，但存在端部不能平行地配置的情况。

线圈导体13b与线圈导体15c具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体13c与线圈导体15b具有俯视下相互重叠的区域。换句话说，线圈导体13b与线圈导体15c在布线的关系上存在俯视下不重叠的部分。关于线圈导体13c和线圈导体15b也是同样的。

在本变形例中，在绝缘体层11，线圈13、线圈14、线圈15从外侧起被依次配置，在绝缘体层12，线圈15、线圈14、线圈13从外侧起被依次配置，在绝缘体层17，线圈13、线圈14、线圈15从外侧起被依次配置。

因此，在参照图2来说明的实施方式1的变形例中，3个线圈间的相互的磁耦合的强度几乎相同。

(实施方式2)

接下来，参照图3来对实施方式2进行说明。

图3是本公开的实施方式2中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。另外，在本公开的实施方式2中，针对具有与上述的本公开的实施方式1同样的构成的部件，付与同一符号，省略说明。

如图3所示，在绝缘体层12，构成线圈13的线圈导体13b、构成线圈14的线圈导体14b、构成线圈15的线圈导体15b从外侧起，按照线圈导体14b、线圈导体15b、线圈导体13b的顺序，被几乎平行地配置。另外，形成于绝缘体层11的线圈导体13a、14a、15a的排列方式与实施方式1相同。

进一步地，在绝缘体层17，构成线圈13的线圈导体13c、构成线圈14的线圈导体14c、构成线圈15的线圈导体15c从外侧起按照线圈导体15c、线圈导体13c、线圈导体14c的顺序被几乎平行地配置为螺旋状。此外，线圈导体13a、线圈导体14b、线圈导体15c被配置为在俯视下相互重叠。同样地，线圈导体14a、线圈导体15b、线圈导体13c被配置为在俯视下相互重叠。进一步地，线圈导体15a、线圈导体13b、线圈导体14c被配置为在俯视下相互重叠。

另外，与实施方式1同样地，并不是线圈导体的全部重合。

换句话说，本实施方式的共模噪声滤波器具有：绝缘体层11、形成于绝缘体层11的下方的绝缘体层12、线圈导体13a与线圈导体13b电连接而形成的线圈13、线圈导体14a与线圈导体14b电连接而形成的线圈14、和线圈导体15a与线圈导体15b电连接而形成的线圈15。

并且，线圈13、线圈14、线圈15相互电独立。线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a从外侧起按照线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a的顺序排列，螺旋状地形成于绝缘体层11。线圈导体13a、线圈导体14a以及线圈导体15a具有被相互平行地配置的区域。

线圈导体13b、线圈导体14b以及线圈导体15b从外侧起按照线圈导体14b、线圈导体15b以及线圈导体13b的顺序排列，形成于绝缘体层12。线圈导体13b、线圈导体14b以及线圈导体15b具有被相互平行地配置的区域。

线圈导体13a与线圈导体14b具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体14a与线圈导体15b具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体15a与线圈导体13b具有俯视下相互重叠的区域。

换句话说，与实施方式1同样地，线圈导体13a与线圈导体14b在布线的关系上，具有俯视下不重叠的部分。对于线圈导体14a与线圈导体15b、以及线圈导体15a与线圈导体13b也是同样的。

进一步地，在绝缘体层17的下方形成绝缘体层19。在绝缘体层19，设置经由过孔电极20a而连接于线圈导体13c的引出用的导体23d。此外，在绝缘体层19，设置经由过孔电极20b而连接于线圈导体14c的引出用的导体24d。进一步地，在绝缘体层19，设置经由过孔电极20c而连接于线圈导体15c的引出用的导体25d。

导体23d构成线圈13的一部分，导体24d构成线圈14的一部分，导体25d构成线圈15的一部分。

换句话说，在绝缘体层11，线圈13、线圈14、线圈15被配置为从外侧起为线圈13、线圈14、线圈15的顺序。此外，在绝缘体层12，线圈13、线圈14、线圈15被配置为从外侧起为线圈14、线圈15、线圈13的顺序。进一步地，在绝缘体层17，线圈13、线圈14、线圈15形成为从外侧起为线圈15、线圈13、线圈14的顺序。

线圈13与线圈14相邻的位置为绝缘体层11上的1个位置、绝缘体层17上的1个位置、线圈导体13a与线圈导体14b对置的1个位置、线圈导体13b与线圈导体14c对置的1个位置的合计4个位置。

另外，在上述说明中，与实施方式1同样地，作为在同一绝缘体层上线圈相邻的位置的数量，仅对从外周向内周的相同的匝数部分进行计数。

并且，线圈14与线圈15相邻的位置也同样为4个位置，线圈13与线圈15相邻的位置也同样为4个位置。因此，3个线圈间的相互相邻的位置的数量相同。因此，线圈间的磁耦合的强度几乎相同。

另外，形成于绝缘体层17的线圈导体15c、线圈导体14c、线圈导体13c不是必须形成。在没有形成线圈导体15c、线圈导体14c、线圈导体13c的情况下，线圈13与线圈14相邻的位置、线圈14与线圈15相邻的位置、线圈15与线圈13相邻的位置的数量也相同。因此，各个线圈间的磁耦合的强度几乎相同。

换句话说，在本实施方式的共模噪声滤波器中，具有：形成于绝缘体层12的下方的绝缘体层17、形成线圈13的线圈导体13c、形成线圈14的线圈导体14c、形成线圈15的线圈导体15c。

并且，线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c按照从外侧起线圈导体15c、线圈导体13c以及线圈导体14c的顺序排列，螺旋状地形成于绝缘体层17。此外，线圈导体13c、线圈导体14c以及线圈导体15c具有相互平行地配置的区域。

此外，线圈导体13b与线圈导体14c具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体14b与线圈导体15c具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体15b与线圈导体13c具有俯视下相互重叠的区域。

换句话说，与实施方式1的变形例同样地，线圈导体13b与线圈导体14c在布线的关系上具有俯视下不重叠的部分。关于线圈导体14b与线圈导体15c、以及线圈导体15b与线圈导体13c也是同样的。

(实施方式2的变形例)

接下来，参照图4来对实施方式2的变形例进行说明。图4是实施方式4的变形例中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。另外，针对与实施方式2同样的构成，付与同一符号并省略说明。

在参照图3来说明的实施方式2中，在绝缘体层19形成引出线用的导体23d、24d、25d。在实施方式2的变形例中，如图4所示，在绝缘体层19，不形成引出线用的导体23d、24d、25d，而形成螺旋状的线圈导体13d、14d、15d。线圈导体13d构成线圈13，线圈导体14d构成线圈14，线圈导体15d构成线圈15。并且，在绝缘体层19从外侧起依次地，线圈导体13d、线圈导体14d、线圈导体15d被几乎平行地配置。线圈导体13d与线圈导体15c被配置为俯视下重叠。线圈导体14d与线圈导体13c被配置为俯视下重叠。线圈导体15d与线圈导体14c被配置为俯视下重叠。

换句话说，在本实施方式的共模噪声滤波器中，具有：形成于绝缘体层17的下方的绝缘体层19、形成线圈13的线圈导体13d、形成线圈14的线圈导体14d、形成线圈15的线圈导体15d。

并且，线圈导体13d、线圈导体14d、线圈导体15d从外侧起按照线圈导体13d、线圈导体14d、线圈导体15d的顺序排列，螺旋状地形成于绝缘体层19。此外，线圈导体13d、线圈导体14d以及线圈导体15d具有相互平行地配置的区域。

此外，线圈导体13c与线圈导体14d具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体14c与线圈导体15d具有俯视下相互重叠的区域，线圈导体15c与线圈导体13d具有俯视下相互重叠的区域。

换句话说，与其他实施方式同样地，线圈导体13c与线圈导体14d在布线的关系上具有俯视下不重叠的部分。关于线圈导体14c与线圈导体15d、以及线圈导体15c与线圈导体13d也是同样的。

通过上述的构成，在本变形例中的共模噪声滤波器中，线圈导体形成为：在绝缘体层11，从外侧起为线圈13、线圈14、线圈15的顺序，在绝缘体层12，从外侧起为线圈14、线圈15、线圈13的顺序，在绝缘体层17，从外侧起为线圈15、线圈13、线圈14的顺序，在绝缘体层19，从外侧起为线圈13、线圈14、线圈15的顺序。

在本变形例中，与实施方式2同样地，3个线圈间的相互的磁耦合的强度几乎相同。

另外，在本实施方式中，“上”、“下”等表示方向的用语仅表示相对的位置关系，并不表示绝对的方向。

产业上的可利用性

本公开所涉及的共模噪声滤波器能够在3个线圈间平衡良好地使其磁耦合，特别是在数字设备、av设备、信息通信终端等中使用的小型且薄型的共模噪声滤波器等中有用。

-符号说明-

1、11、12、17、19绝缘体层

2、3、4、13、14、15线圈

2a、2b、3a、3b、4a、4b、13a、13b、13c、13d、14a、14b、14c、14d、15a、15b、15c、15d线圈导体

23c、24c、25c、23d、24d、25d导体