技术特征：
技术总结
本发明的半导体装置，包括：碳化硅半导体层，其主面侧配置有多个层；以银为主要成分构成的电极层，为所述多个层中的一个层，并且具有与导电性的连接构件相连接的电极连接面；以及以碳化钛为主要成分构成的第一金属层，为所述多个层中的与所述电极层不同的一个层，并且具有：所述电极连接面露出至外部后与所述电极层相接合的第一接合面、以及与所述半导体层电气连接的第二接合面。
技术研发人员：福田祐介
受保护的技术使用者：新电元工业株式会社
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2018.05.29