技术特征：
技术总结
示例装置包括具有第一衬底表面和第二衬底表面的硅衬底；与集成电路(IC)的一个或多个电子部件相关的多个层，其中多个层沉积在第二衬底表面上；锂基电池，具有沉积在硅衬底的第一衬底表面上的多个电池层，其中锂基电池包括阳极集流体和阴极集流体；第一硅通孔(TSV)，穿过硅衬底并在阳极集流体和与IC的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接；以及第二TSV，穿过硅衬底并在阴极集流体和与IC的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接。
技术研发人员：W.J.比德曼;D.J.耶格尔;B.奥蒂斯
受保护的技术使用者：威里利生命科学有限责任公司
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2018.05.11