1.一种超结器件，其特征在于：超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成；所述超结结构的所述N型柱由N型外延层组成，在所述N型外延层中形成有超结沟槽，所述P型柱由填充于所述超结沟槽中的P型掺杂的氧化层组成；所述P型柱通过氧化层中的P型掺杂实现和所述N型柱的电荷平衡；
每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元，电荷流动区的每一个所述超结单元对应于一个超结器件单元，各所述超结器件单元包括：
沟槽栅，形成于所述N型柱的顶部，所述沟槽栅包括栅极沟槽以及形成于所述栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；
辅助沟槽栅，形成于所述P型柱的顶部，所述辅助沟槽栅包括辅助栅极沟槽以及填充于所述辅助栅极沟槽中的辅助栅极多晶硅；
所述辅助栅极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度，所述辅助沟槽栅用于在器件击穿时对击穿电流进行分流，从而对所述栅介质层进行保护。
2.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述P型柱的氧化层为采用TEOS作为硅源形成的氧化层。
3.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述P型柱的氧化层的P型掺杂的元素为硼。
4.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：沟道区由形成于所述沟槽栅两侧的所述N型柱表面的P阱组成。
5.如权利要求4所述的超结器件，其特征在于：由N+区组成的源区形成于所述沟道区的表面。
6.如权利要求5所述的超结器件，其特征在于：在所述源区的顶部形成有接触孔，该接触孔的顶部和由正面金属层形成的源极连接。
7.如权利要求6所述的超结器件，其特征在于：所述源极对应的接触孔的底部形成有由P+区组成的沟道引出区，所述沟道引出区的结深大于所述源区的结深，所述沟道引出区的底部和所述沟道区接触并将所述沟道区也连接到所述源极。
8.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述多晶硅栅和所述辅助栅极多晶硅都通过接触孔连接到栅极。
9.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层。
10.如权利要求6或8所述的超结器件，其特征在于：所述接触孔穿过层间膜，所述层间膜覆盖在所述超结结构的表面。
11.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述N型外延层形成于半导体衬底表面，漏区由形成于减薄后的所述半导体衬底背面的N+区组成；
在所述漏区的背面形成有和所述漏区接触的背面金属层，由所述背面金属层组成漏极。
12.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一N型外延层，采用光刻刻蚀工艺在所述N型外延层中形成超结沟槽；
步骤二、在所述超结沟槽中填充P型掺杂的氧化层，由填充于所述超结沟槽中的氧化层组成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱；
由多个所述N型柱和所述P型柱交替排列组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元，所述P型柱通过氧化层中的P型掺杂实现和所述N型柱的电荷平衡；
步骤三、采用光刻刻蚀工艺对所述N型柱的顶部的N型外延层进行刻蚀形成位于所述N型柱的顶部形成栅极沟槽；
步骤四、在所述栅极沟槽的底部表面和侧面形成栅介质层；
步骤五、采用光刻刻蚀工艺在所述P型柱的顶部的氧化层进行刻蚀形成位于所述P型柱的顶部形成辅助栅极沟槽；所述辅助栅极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度；
步骤六、进行多晶硅淀积同时填充所述栅极沟槽和所述辅助栅极沟槽，填充于所述栅极沟槽中的多晶硅组成多晶硅栅，填充于所述辅助栅极沟槽中的多晶硅组成辅助栅极多晶硅；
由填充于所述栅极沟槽中的所述多晶硅栅和所述栅介质层组成沟槽栅，由填充于所述辅助栅极沟槽中的所述栅极多晶硅组成辅助沟槽栅，所述辅助沟槽栅用于在器件击穿时对击穿电流进行分流，从而对所述栅介质层进行保护。
13.如权利要求12所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述P型柱的氧化层为采用TEOS作为硅源形成的氧化层。
14.如权利要求13所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述TEOS氧化层采用LPCVD、APCVD、PECVD或炉管工艺制作形成。
15.如权利要求12所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述P型柱的氧化层的P型掺杂的元素为硼。
16.如权利要求12所述的超结器件的制造方法，其特征在于：还包括如下步骤：
步骤七、采用P型离子注入工艺和退火扩散工艺形成P阱，所述P阱位于所述沟槽栅两侧的所述N型柱表面并组成沟道区。
17.如权利要求16所述的超结器件的制造方法，其特征在于：还包括如下步骤：
步骤八、进行N型重掺杂的离子注入在所述沟道区的表面形成由N+区组成的源区。
18.如权利要求17所述的超结器件的制造方法，其特征在于：还包括如下步骤：
步骤九、形成层间膜，所述层间膜覆盖在所述超结结构的表面；
步骤十、进行接触孔的开口并在开口内填充金属形成所述接触孔；
步骤十一、形成正面金属层并图形化形成栅极和源极；所述多晶硅栅和所述辅助栅极多晶硅都通过接触孔连接到栅极，在所述源区通过接触孔连接到源极。
19.如权利要求18所述的超结器件的制造方法，其特征在于：在步骤十的所述接触孔的开口形成后金属填充前还包括步骤：
进行P型重掺杂的离子注入在所述源极对应的接触孔的底部形成有由P+区组成的沟道引出区，所述沟道引出区的结深大于所述源区的结深，所述沟道引出区的底部和所述沟道区接触并将所述沟道区也连接到所述源极。
20.如权利要求18所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述N型外延层形成于半导体衬底表面，还包括如下步骤：
对所述半导体衬底背面进行减薄，在减薄后的所述半导体衬底背面形成由N+区组成的漏区；
形成背面金属层，由所述背面金属层组成漏极。