技术总结
本发明公开了一种超结器件，超结结构的N型柱由N型外延层组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型掺杂的氧化层组成；沟槽栅形成于N型柱的顶部；辅助沟槽栅形成于P型柱的顶部，辅助沟槽栅包括辅助栅极沟槽以及填充于辅助栅极沟槽中的辅助栅极多晶硅；辅助栅极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度，辅助沟槽栅用于在器件击穿时对击穿电流进行分流，从而对栅介质层进行保护。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的HTRB寿命并能在一定幅度内降低器件的源漏导通电阻。
技术研发人员：赵龙杰
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710003994
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2017.06.23