技术总结
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高可靠性的SOI‑LIGBT。本发明相比于传统的LIGBT，在P+集电区附近引入一个N+集电区和多晶硅电阻区，又在发射极端引入槽形发射电极。新器件可实现如MOSFET的耐压机理，其耐压值大小不随P+集电区掺杂浓度的变化而变化，可在较短的漂移区内实现较高耐压。新器件在开启时，槽形发射电极使空穴电流聚集在N+发射区底部效应减弱，空穴电流分布更均匀，有效增强新器件抗闩锁效应和短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT，本发明有高速度、低关断损耗的优良性能，同时具有大的FBSOA和SCSOA。
技术研发人员：罗小蓉;黄琳华;邓高强;周坤;魏杰;孙涛;刘庆;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201710014266
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.05.17