半导体装置的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开一种半导体装置，包含基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。基底包含有存储器区与周边区。多个主动区是定义在基底上，而多个位线则是彼此平行且分隔地设置在基底上，并位于存储器区内且横跨主动区。多个虚置位线设置在位线的一侧，虚置位线彼此连接且各虚置位线之间具有不同的间距。

技术研发人员：冯立伟;王嫈乔;蔡综颖;陈凯评;何建廷
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2018.08.10