基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器的制作方法

文档序号:12807702阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器,包括硅衬底和设置于硅衬底上的带阻天线和温度传感器;硅衬底由多晶硅电阻;带阻天线为多晶硅环形天线、多晶硅十字结构天线和多晶硅偶极子天线;多晶硅偶极子天线的臂长H,宽度W,两臂之间的间隙gap和工作频率f,组成数组(H,W,gap,f),取值范围为(H/40~H/4,H/40~H/6,f);多晶硅十字结构天线的取值范围为(H/40~H/4,H/40~H/6,f);多晶硅环形天线的半径R,宽度W和频率f组成数组(R,W,f),取值范围为(H/40~H/4,f)。该太赫兹波热探测器利用天线接收电磁波,将电磁能量转化为热量,通过对热量的探测实现对高波段太赫兹波的探测。

技术研发人员:陈霏;杨娇
受保护的技术使用者:天津大学
技术研发日:2017.02.27
技术公布日:2017.07.04
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