1.一种光电探测器阵列，其特征在于，包括：
半绝缘的衬底层；
覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；
设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；
在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；
在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；
在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及
在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。
2.如权利要求1所述的光电探测器阵列，其特征在于，各个光电探测器的N接触电极通过所述接地大电极互相连通，各个光电探测器的P接触电极通过所述信号大电极互相连通；
所述信号大电极，用于将各个光电探测器产生的电信号进行叠加形成信号线；
所述接地大电极，用于将电信号接地形成地线。
3.如权利要求2所述的光电探测器阵列，其特征在于，各个光电探测器以所述信号大电极为中心呈中心对称分布，各个光电探测器的P接触电极到所述信号大电极的距离相等。
4.如权利要求2所述的光电探测器阵列，其特征在于，所述接地大电极为一环形结构，所述环形结构的中心与所述信号大电极的中心重合。
5.如权利要求1所述的光电探测器阵列，其特征在于，所述光电探测器利用标准半导体工艺制作而成，为PIN光电探测器、单行载流子光电探测器和雪崩光电探测器中的任一种。
6.如权利要求5所述的光电探测器阵列，其特征在于，所述光电探测器为垂直耦合的光耦合方式，入射光通过所述衬底层入射。
7.如权利要求1所述的光电探测器阵列，其特征在于，各个光电探测器之间通过化学刻蚀至所述衬底层并且相互隔离。
8.如权利要求1所述的光电探测器阵列，其特征在于，所述衬底层经过减薄抛光处理。
9.如权利要求1所述的光电探测器阵列，其特征在于，所述钝化层为在整个衬底层上覆盖的聚酰亚胺或二氧化硅。