技术特征：
技术总结
本发明公开了一种浮空栅‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(10)；两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，势垒层上两侧淀积有两个源极(12)，两个源极下方有两个注入区(11)，除肖特基漏极底部以外区域覆盖有钝化层(15)，其中：两侧钝化层内制作有浮空栅‑漏复合场板(14)，浮空栅‑漏复合场板由栅场板、漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成，电流阻挡层采用二级阶梯结构。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
技术研发人员：毛维;石朋毫;丛冠宇;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.09.15