技术总结
本发明涉及一种适用于功率MOS的新型塑封结构，包含一框架，一芯片以及一封装体，其中，所述的框架为铜框架，该铜框架分成两部分，一部分作为载片与器件背电极相连并引出管脚形成电气连接，一部分用来实现散热功能的散热背板，二者通过高导热隔离层隔离开，使铜框架的两部分形成物理连接。本发明由于载片和散热背板是隔离开的独立部分，载片完成电气连接，散热背板提供散热通道，在方便PCB装配的同时，降低了功率MOS的封装热阻，大大提高了其在应用端的安全工作区，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势。
技术研发人员：任杰;苏海伟
受保护的技术使用者：上海长园维安微电子有限公司
文档号码：201710235517
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.06.23