技术特征：
技术总结
本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括用于储存数据的半导体存储器，并且半导体存储器可以包括自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，其介于自由层和钉扎层之间；以及界面增强层，其介于隧道阻挡层和钉扎层之间，并包括导电的多层层叠结构，以增强半导体存储器的磁特性，其中界面增强层可以包括：富Fe的第一层；富Co的第二层，其形成在第一层之上；以及金属层，其形成在第二层之上。
技术研发人员：金亮坤;金国天;郑求烈;林锺久;崔源峻
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2017.04.27
技术公布日：2017.11.24