本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种芯片的封装结构。
背景技术：
随着科技的进步，电子产品无不朝向轻量化与微型化的趋势发展。以麦克风为例，微机电系统感测芯片(memssensors)已广泛地被使用于此领域中。传统的麦克风包括微机电系统感测芯片、用以驱动微机电系统感测芯片的驱动芯片以及用以承载微机电系统感测芯片以及驱动芯片的电路板。电路板除了导电层与介电层之外，还具有一些导电贯孔(conductivethroughvia)，且麦克风内的驱动芯片通常会与这些导电贯孔电性连接。
在现有技术中，制造者会先分别制作感测元件及用以承载电子元件的线路板。之后，再将感测元件封装在线路板上，以形成感测元件封装结构。此作法不但费工费时，且感测元件封装结构的整体厚度不易降低。因此，如何改善现有的感测元件封装，实为研发者所欲达成的目标之一。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种封装结构，其可简化处理步骤、降低生产成本及缩小线路间距。
本发明实施例的封装结构包括基板、第一引线框架、第一金属层、至少一芯片、基座以及第二金属层。基板包括多数个开口。第一引线框架嵌设于基板内并包括多数个第一接垫，其中开口暴露第一接垫。第一金属层覆盖暴露的第一接垫。芯片设置于基板上并与第一金属层及第一接垫电性连接。基座以接合面罩覆于基板上。第二金属层覆盖基座的基座表面。
在本发明的一实施例中，上述的基座还包括容置凹槽，芯片位于容置凹槽内。
在本发明的一实施例中，上述的基座与基板的材料包括环氧化合物(epoxy)、邻苯二甲酸二烯丙酯(dap)、苯并环丁烯(bcb)、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、bt树脂(bismaleimide-triazinemodifiedepoxyresin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、液晶高分子(liquidcrystalpolyester,lcp)、聚酰胺(pa)、尼龙6、共聚聚甲醛(pom)、聚苯硫醚(pps)、聚碳酸脂(polycarbonate,pc)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethacrylate,pmma)、abs树脂(acrylonitrilebutadienestyrene,abs)或环状烯烃共聚物(coc)。
在本发明的一实施例中，上述的基座或基板的材料不包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。
在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括第二引线框架，嵌设于基座。
在本发明的一实施例中，上述的基板还包括多数个电极接点，基座包括第一电极及第一导通孔，第一电极设置于接合面并与电极接点电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第二金属层包括第一沟槽以及线路，线路连接第一导通孔与第一电极，第一沟槽环绕第一导通孔、第一电极及线路，以使第一导通孔、第一电极及线路与其余的第二金属层电性绝缘，其中第一沟槽所暴露的部分基座的上表面低于基座表面。
在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括第二引线框架，嵌设于基座，第二引线框架包括多数个电性连接芯片的外部接垫，暴露于基座之外。
在本发明的一实施例中，上述的第二金属层还包括多数个外部接垫，其设置于基座背离基板的外表面并电性连接第一导通孔。
在本发明的一实施例中，上述的第二金属层还包括多数个外部接垫，其设置于基座背离基板的外表面并电性连接第一导通孔，外部接垫的表面低于基座的外表面。
在本发明的一实施例中，上述的基板还包括贯孔，穿过基板及第一引线框架，以暴露部分芯片。
在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括第二导通孔，基座还包括第二电极，其设置于接合面并与电极接点的其中之一电性连接，第二导通孔电性连接第二引线框架，其余的第二金属层覆盖并电性连接第二导通孔以及第二电极。
在本发明的一实施例中，上述的其余的第二金属层连接至接地电极。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层覆盖基板的基板表面以及开口并包括多数个第二沟槽，其分别环绕开口，以使第一接垫与其余的第一金属层电性绝缘，其中第二沟槽所暴露的部分基板的上表面低于基板表面。
在本发明的一实施例中，上述的第一引线框架包括多数个电性连接芯片的外部接垫，暴露于基板之外。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层还包括多数个外部接垫，其设置于基板背离基座的外表面并电性连接芯片。
在本发明的一实施例中，上述的第二金属层还包括多数个外部接垫，其设置于基座背离基板的外表面并电性连接芯片，外部接垫的表面低于基座的外表面。
在本发明的一实施例中，上述的基板还包括元件设置槽，芯片及第一接垫设置于元件设置槽内。
在本发明的一实施例中，上述的其余的第一金属层连接至接地电极。
在本发明的一实施例中，上述的芯片通过打线接合技术而电性连接至第一接垫。
在本发明的一实施例中，上述的芯片通过覆晶接合技术而电性连接至第一接垫。
在本发明的一实施例中，上述的第一引线框架还包括第二接垫，开口的其中之一暴露第二接垫，且第二接垫电性连接芯片及其余的第一金属层。
在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括第一金属层，基板包括多数个开口，其暴露第一引线框架的多数个第一接垫，第一金属层覆盖开口及第一接垫。
在本发明的一实施例中，上述的芯片通过打线接合技术而电性连接至第一接垫。
在本发明的一实施例中，上述的芯片通过覆晶接合技术而电性连接至第一接垫。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层还包括接地环以及接地线路，接地环环绕基板周缘，第一引线框架还包括电性连接芯片的第二接垫，接地线路电性连接第二接垫与接地环。
在本发明的一实施例中，上述的基板还包括元件设置槽，芯片、第一接垫及第二接垫设置于元件设置槽内，接地环环绕元件设置槽，且接地线路延伸于元件设置槽的内壁上以连接第二接垫与接地环。
在本发明的一实施例中，上述的基座的材料包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。
在本发明的一实施例中，上述的金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层的下表面低于基板的基板表面。
在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括第二引线框架，其中第二引线框架包括多数个电性连接芯片的外部接垫，暴露于基座之外，第一沟槽环绕外部接垫，以使外部接垫与其余的第二金属层电性绝缘。
在本发明的一实施例中，上述的第一引线框架包括多数个电性连接芯片的外部接垫，暴露于基板之外，第二沟槽环绕外部接垫，以使外部接垫与其余的第一金属层电性绝缘。
在本发明的一实施例中，上述的基板还包括贯孔，穿过基板及第一引线框架，以暴露部分芯片。
基于上述，本发明实施例的封装结构是先以激光在基板上形成多个开口，以暴露内嵌于基板内的引线框架的接垫，使设置于基板上的芯片可电性连接至被暴露的接垫。因此，本发明实施例可有效简化处理，提升处理效率。并且，依此处理所形成的封装结构可无须在基座和/或基板内添加激光、等离子体或机械刀具可激活的金属氧化物，因而可降低生产成本。
除此之外，本发明实施例的基座及基板可通过模塑(molding)的方式定型，故对其厚度及外型上具有较大的设计弹性。因此，本发明的封装结构不仅可提升其设计弹性，更可轻易符合细线路的标准，且可有效简化处理步骤及降低生产成本及封装结构的整体厚度。
为让本发明实施例的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图；
图2是依照本发明的一实施例的一种基座的俯视示意图；
图3是图2的基座的局部剖面示意图；
图4是图2的基座的另一局部剖面示意图；
图5是图3的基座的仰视示意图；
图6是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图；
图7是图6的基板的局部剖面示意图；
图8是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图；
图9是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图；
图10是图9的基板的透视示意图；
图11是图9的基板的局部剖面示意图；
图12是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图；
图13是图12的基板的局部放大示意图；
图14是依照本发明的一实施例的一种基板的局部剖面示意图；
图15是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图；
图16是图15的基板的局部剖面示意图。
附图标记说明：
100：封装结构
110：基板
112：电极接点
116：元件设置槽
120、190：芯片
130：基座
132：容置凹槽
134：第一电极
135：第二电极
136：第一导通孔
137：第二导通孔
140：第二引线框架
142：外部接垫
150：第一引线框架
152：第一接垫
153：第二接垫
160：第二金属层
162：第一沟槽
164：线路
170：第一金属层
172：第二沟槽
174：接地环
176：接地线路
h1：贯孔
op1：开口
具体实施方式
有关本发明实施例的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的各实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明实施例。并且，在下列各实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号。
图1是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。图2是依照本发明的一实施例的一种基座的俯视示意图。图3是图2的基座的局部剖面示意图。请参照图1至图3，在本实施例中，封装结构100包括基板110、至少一芯片120、基座130、第一引线框架150、第一金属层170及第二金属层160。基板110如图1所示的包括多数个开口(如图6及图8所示的开口op1)以及电极接点112。芯片120设置于基板110的元件设置区并与电极接点112电性连接。电极接点112如图1所示的设置于元件设置区的一侧。基座130以其接合面罩覆于基板110上。
在本实施例中，封装结构100还可包括另一芯片190，其设置于基板110上并与芯片120电性连接。举例而言，芯片120可为微机电系统(microelectromechanicalsystems,mems)感测芯片，而芯片190则可包括特殊应用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit,asic)。并且，封装结构100还可包括贯孔h1，其贯穿基板110，以暴露部分芯片120。在本实施例中，贯孔h1可为mems麦克风封装结构的音孔。当然，本实施例仅用以举例说明，本发明并不限制封装结构100的应用范围。
在本发明的一实施例中，基座130可如图2及图3所示的包括第一电极134及第一导通孔136。在本实施例中，基座130可具有容置凹槽132，芯片120可设置于基板110上并位于基座130的容置凹槽132内，而第一导通孔136也可设置于容置凹槽132内。第一电极134设置于基座130的接合面并如图1所示的与基板110的电极接点112彼此嵌合而形成电性连接。进一步而言，基板110的电极接点112用以与第一电极134嵌合的上表面低于基板110的接合表面。相应地，基座130的第一电极134则突出于基座130的接合面，以与电极接点112嵌合而形成电性连接。在本实施例中，封装结构100还可包括黏着胶材，其可为非导电胶、导电胶或焊料，设置于基座130与基板110之间，以贴合基座130与基板110。
第二引线框架140如图1及图3所示的嵌设于基座130，第一引线框架150则如图1所示的嵌设于基板110并电性连接芯片120及电极接点112。第一导通孔136穿过基座130以电性连接至第二引线框架140。第一引线框架150则如图1所示的嵌设于基板110并电性连接芯片120及电极接点112。
举例来说，基板110和/或基座130的材料可包括环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、bt树脂(bismaleimide-triazinemodifiedepoxyresin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、液晶高分子(liquidcrystalpolyester,lcp)、聚酰胺(pa)、尼龙6、共聚聚甲醛(pom)、聚苯硫醚(pps)或环状烯烃共聚物(coc)等介电材料。在本实施例中，基座130和/或基板110的材料可不包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物，例如：锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。
本实施例可利用模具成形的方式来模塑形成封装结构100中的基座130和/或基板110，以将基座130模塑成包覆第二引线框架140，将基板110模塑成包覆第一引线框架150。因此，基座130和/或基板110的厚度及形状可依产品需求而自由调整。如此，本实施例的封装结构100不仅可简化处理，提升设计的弹性，并且，封装结构100的最大厚度更可有效降低。
在本实施例中，第二金属层160包覆基座130的基座表面并如图2及图3所示的包括第一沟槽162以及线路164。线路164连接第一导通孔136与第一电极134。第一沟槽162则环绕第一导通孔136、第一电极134以及连接第一导通孔136与第一电极134的线路164，以使第一导通孔136、第一电极134及线路164与其余的第二金属层160电性绝缘，其中，第一沟槽162所暴露的部分基座130的上表面低于被第二金属层160所覆盖的基座表面。所谓的“其余的第二金属层160”是指除了被第一沟槽162所环绕的部分(例如线路164)以外的第二金属层160。
在本实施例中，第二金属层160的制作方法可包括下列步骤。首先，可对基座130的表面全面进行化镀，以形成全面包覆基座表面的金属层，接着，再以激光、等离子体或机械刀具等手段于金属层上刻划出第一沟槽162，以形成第二金属层160，其中，第一沟槽162会绕过第一导通孔136、第一电极134以及连接于第一导通孔136于第一电极134之间的部分金属层，以定义出连接第一导通孔136与第一电极134的线路164，并使第一导通孔136、第一电极134及线路164与其余的第二金属层160电性绝缘。因此，由于本实施例是以激光、等离子体或机械刀具等手段来刻划出第一沟槽162，因此，被第一沟槽162所暴露的部分基座130的上表面会因受到激光、等离子体或机械刀具的刻划而低于被第二金属层160所覆盖的基座表面。也就是说，被第一沟槽162所暴露的部分基座130的上表面与被第二金属层160所覆盖的基座表面之间会存在段差。
如此，由于在芯片120的封装与使用过程中，当静电累积至一定程度而产生放电现象时，芯片很容易受到静电放电的影响而被损害，因此，其余的第二金属层160覆盖基座表面并可连接至接地电极，以作为接地/屏蔽之用，降低静电放电及电磁干扰的影响。
在本实施例中，封装结构100还可包括第二导通孔137，基座130还可对应地包括第二电极135，其中，第二电极135设置于基座130的接合面，并与电极接点112的其中之一电性连接。相似地，第二导通孔137电性连接第二引线框架140，并且，第二金属层160覆盖第二导通孔137以及第二电极135，且第二导通孔137以及第二电极135通过第二金属层160而电性连接。
举例而言，图2中的左右两边的电极与导通孔分别为第一电极134与第一导通孔136，而中间的电极与导通孔则分别为第二电极135与第二导通孔137，因此，第一沟槽162会环绕左右两边的第一电极134与第一导通孔136，而不会环绕中间的第二电极135与第二导通孔137，进而使第二电极135与第二导通孔137通过其余的第二金属层160而电性连接并可接地。因此，第二电极135可为封装结构100的接地电极。然而，本实施例的配置仅用以举例说明，本发明实施例并不限定第一电极134、第一导通孔136、第二电极135及第二导通孔137的数量以及配置位置。
图4是图2的基座的另一局部剖面示意图。图5是图3的基座的仰视示意图。在本实施例中，第二引线框架140可包括多数个电性连接芯片120的外部接垫142，其暴露于基座130之外并电性连接第一导通孔136及第二导通孔137，第二金属层160可覆盖外部接垫142。如此，封装结构100便可通过基板110上的外部接垫142而电性连接至外部电子元件，例如：主机板。在本实施例中，基板110可如图1所示的包括贯孔h1，其穿过基板110及第一引线框架150，以暴露部分芯片120。本实施例的封装结构100可为mems麦克风封装结构，其可通过基板110上的外部接垫142而电性连接至主机板，而贯孔h1可为mems麦克风封装结构的音孔，其位于背离主机板的基板110上，故本实施例可为上音孔封装形式的麦克风封装结构。当然，本实施例仅用以举例说明，本发明并不限制封装结构100的应用范围。
在本实施例中，在对基座130的表面全面进行化镀之前，可先形成防镀层，其至少环绕外部接垫142(例如图4中未显示斜线部分)，之后再对基座130的表面全面进行化镀以使第二金属层160覆盖外部接垫142，并使外部接垫142与其余的第二金属层160电性绝缘。
在另一实施例中，基座130亦可不包括第二引线框架140，而是在对基座130的表面全面进行化镀之前，先在基座130背离基板110的外表面上形成防镀层，此防镀层至少环绕基座130欲形成外部接垫142处(例如形成于图5中未显示斜线的部分)，之后再对基座130的表面全面进行化镀以形成包括外部接垫142的第二金属层160，并使外部接垫142与其余的第二金属层160电性绝缘。在本实施例中，第一导通孔136及第二导通孔137可贯穿基座130以电性连接外部接垫142。
在一实施例中，基座130的材料可包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。此金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。如此，本实施例的外部接垫142的形成方法可包括下列步骤。首先，在基座130背离基板110的外表面上以激光刻划出欲形成外部接垫142的路径(例如以激光刻划图5中显示斜线的部分)，以刻出对应外部接垫142的接垫沟槽，使此接垫沟槽上的非导电的金属复合物破坏而释放对还原金属化具有高活性的重金属晶核，接着，再对激光刻划后的基座130进行选择性电镀，以在接垫沟槽上直接化镀及电镀而形成如图4及图5所示的外部接垫142。因此，依上述处理所形成的外部接垫142的表面会低于基座130的外表面。在本实施例中，第一导通孔136及第二导通孔137可贯穿基座130以电性连接外部接垫142。
在其他实施例中，亦可是由第一引线框架150包括上述的外部接垫，且此外部接垫暴露于基板110的背面。如此，封装结构100可通过基板110上的外部接垫而电性连接至外部电子元件，例如：主机板。此实施例的结构及处理皆相似于前段所述的结构及制作方法。
图6是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图。图7是图6的基板的局部剖面示意图。请同时参照图6及图7，在本实施例中，封装结构100还可包括第一金属层170，基板110可包括多数个开口op1，其暴露第一引线框架150的多数个第一接垫152。第一金属层170覆盖基板110的基板表面以及开口op1，并且，第一金属层170还可如图7包括第二沟槽172，其分别环绕开口op1，以使第一接垫152与其余的第一金属层170电性绝缘，其中，第二沟槽172所暴露的部分基板110的上表面低于基板表面。
在本实施例中，上述的基板110的制作方法可包括下列步骤。首先，可利用激光于基板110上形成多个开口op1，其暴露第一引线框架150的多数个第一接垫152。接着，可对基板110的表面全面进行化镀，以形成全面包覆基板表面、开口op1的内壁以及第一接垫152的金属层。接着，再以激光、等离子体或机械刀具等于此金属层上刻划出第二沟槽172，以形成第一金属层170，其中，第二沟槽172会环绕开口op1，以使第一接垫152及覆盖开口op1与第一接垫152的第一金属层170会与其余的第一金属层170电性绝缘。所谓的“其余的第一金属层170”是指除了被第二沟槽172所环绕的部分(例如覆盖开口op1与第一接垫152的第一金属层170)以外的第一金属层170。
据此，由于本实施例是以激光、等离子体或机械刀具等来刻划出第二沟槽172，因此，被第二沟槽172所暴露的基板110的上表面会因受到激光、等离子体或机械刀具的刻划而低于被第一金属层170所覆盖的基板表面。如此，其余的第一金属层170可连接至接地电极，以作为接地/屏蔽之用，降低静电放电及电磁干扰的影响。
在本实施例中，第一引线框架150还可包括至少一第二接垫153，开口op1的至少其中之一暴露第二接垫153，其余的第一金属层170覆盖开口op1之内壁以及第二接垫153，以使第二接垫153电性连接芯片120及其余的第一金属层170。举例而言，图6中最下方的接垫为第二接垫153，而其他的接垫为第一接垫152，因此，第二沟槽172会环绕暴露第一接垫152的开口op1，而不会环绕最下方的第二接垫153，进而使第二接垫153通过其余的第一金属层170而可接地。然而，本实施例的配置仅用以举例说明，本发明实施例并不限定第一接垫152及第二接垫153的数量以及配置位置。
在本实施例中，基板110还可包括元件设置槽116，芯片120、第一接垫152及第二接垫153皆可设置于此元件设置槽116内。在此结构配置下，基座130可为盖板而无须具有如图1所示的容置凹槽132，基座130覆盖于基板110上并覆盖其元件设置槽116。基座130的第二金属层160可全面覆盖基座130的表面以提供屏蔽的效果。此外，芯片120可通过打线接合技术而电性连接至第一接垫152及第二接垫153。当然，本实施例并不以此为限，在其他实施例中，芯片120也可通过覆晶接合技术而电性连接至第一接垫152及第二接垫153。
图8是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。图9是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图。图10是图9的基板的透视示意图。在此必须说明的是，本实施例之基板110与图6及图7的基板110相似，因此，本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参照图8至图10，以下将针对本实施例的基板110与图6及图7的基板110的差异做说明。
在本实施例中，基板110可不具有如图6所示的元件设置槽116，并且，芯片120及190皆设置于基板110上。芯片190可通过打线接合技术而电性连接至第一接垫152及第二接垫153，而芯片120则可通过打线接合技术而电性连接芯片190，进而电性连接至第一接垫152及第二接垫153。当然，本实施例仅用以举例说明，本实施例并不以此为限，在其他实施例中，芯片120及芯片190也可通过覆晶接合技术而电性连接至第一接垫152及第二接垫153。
在本实施例中，第一引线框架150可包括多个外部接垫142，且此外部接垫142电性连接芯片120并暴露于基板110之外。如此，封装结构100可如图8及图10所示的通过基板110上的外部接垫142而电性连接至外部电子元件200，在此配置下，基板110可如图8所示的包括贯孔h1，其穿过基板110及第一引线框架150，以暴露部分芯片120。如此，本实施例的封装结构100可为mems麦克风封装结构，其可通过基板110上的外部接垫142而电性连接至外部电子元件200，而贯孔h1可为mems麦克风封装结构的音孔，其位于面向外部电子元件200的基板110上，故本实施例可为下音孔封装形式的麦克风封装结构。当然，本实施例仅用以举例说明，本发明并不限制封装结构100的应用范围。
在本实施例中，在对基板110的表面全面进行化镀之前，可先于基板110背离基座130的外表面上形成防镀层，此防镀层至少环绕基板110欲形成外部接垫142处，之后再对基板110的表面全面进行化镀以形成包括多个外部接垫142的第一金属层170，并使外部接垫142与其余的第一金属层170电性绝缘。在本实施例中，外部接垫142可电性连接第一引线框架150。
在一实施例中，基板110的材料可包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。此金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。如此，本实施例的外部接垫142的形成方法可包括下列步骤。首先，在基板110背离基座130的外表面上以激光刻划出欲形成外部接垫142的路径，以刻出对应外部接垫142的接垫沟槽，使此接垫沟槽上的非导电的金属复合物破坏而释放对还原金属化具有高活性的重金属晶核，接着，再对激光刻划后的基板110进行选择性电镀，以在接垫沟槽上直接化镀及电镀而形成如图10所示的外部接垫142。因此，依上述处理所形成的外部接垫142的表面会低于基板110的外表面。在本实施例中，外部接垫142可电性连接第一引线框架150。
图12是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图。图13是图12的基板的局部放大示意图。在此必须说明的是，本实施例的基板110与图9至图11的基板110相似，因此，本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参照图12以及图13，以下将针对本实施例的基板110与图9至图11的基板110的差异做说明。
在本实施例中，基板110可包括多数个开口op1，其暴露第一引线框架150的多数个第一接垫152，而第一金属层170则覆盖开口op1及第一接垫152。在本实施例中，基板110的制作方法可包括下列步骤。首先，可利用激光于基板110上形成多个开口op1，其暴露第一引线框架150的多数个第一接垫152。接着，再对被开口op1所暴露的第一接垫152进行电镀而形成覆盖第一接垫152的第一金属层170。之后再通过打线接合技术而将芯片190电性连接至第一接垫152及第二接垫153，并通过打线接合技术而将芯片120电性连接至芯片190。当然，本实施例仅用以举例说明，本实施例并不以此为限，在其他实施例中，芯片120及芯片190也可通过覆晶接合技术而电性连接至第一接垫152及第二接垫153。
图14是依照本发明的一实施例的一种基板的局部剖面示意图。在此必须说明的是，本实施例的基板110与图12及图13的基板110相似，因此，本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参照图14，以下将针对本实施例的基板110与图12及图13的基板110的差异做说明。
在本实施例中，第一金属层170还可包括接地环174，接地环174环绕基板110周缘并可连接至接地电极。在本实施例中，基板110可包括电性连接芯片120及芯片190的第二接垫153，第一金属层170覆盖第一接垫152及第二接垫153，且第二接垫153电性连接至接地环174。
在本实施例中，基板110的材料可包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。此金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。如此，本实施例的第一金属层170的形成方法可包括下列步骤。首先，在基板110上以激光沿着欲形成第一金属层170的路径(例如环绕基板110的周缘的接地环174处)刻出对应接地环174的线路沟槽，使此线路沟槽上的非导电的金属复合物破坏而释放对还原金属化具有高活性的重金属晶核，接着，再对激光刻划后的基板110进行选择性电镀，以在线路沟槽上直接化镀及电镀而形成第一金属层170(例如环绕基板110的周缘的接地环174)。因此，依上述处理所形成的第一金属层170的下表面会低于基板110的表面。在本实施例中，覆盖第一接垫152及第二接垫153的部分第一金属层170可通过直接电镀而形成，而直接形成于基板110上的接地环174再通过上述的激光活化处理以进行化镀及电镀而形成。
图15是依照本发明的一实施例的一种基板的俯视示意图。图16是图15的基板的局部剖面示意图。在此必须说明的是，本实施例的基板110与图14的基板110相似，因此，本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参照图15及图16，以下将针对本实施例的基板110与图14的基板110的差异做说明。
在本实施例中，基板110还包括元件设置槽116，芯片120、第一接垫152及第二接垫153皆设置于元件设置槽116内。第一金属层170包括接地环174以及接地线路176，其中，第一金属层170覆盖第一接垫152及第二接垫153，接地环174环绕基板110的周缘并可连接至接地电极，接地线路176电性连接第二接垫153与接地环174。进一步而言，接地线路176可如图16所示的延伸于元件设置槽116的内壁上以连接第二接垫153与接地环174。在此结构配置下，基座130可如图16所示的为盖板而无须具有如图1所示的容置凹槽132，基座130覆盖于基板110上并覆盖其元件设置槽116。基座130的第二金属层160可全面覆盖基座130的表面以提供屏蔽的效果。
在本实施例中，基座110的材料亦可包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。如此，本实施例的第一金属层170的形成方法可包括下列步骤。首先，在基板110上以激光沿着欲形成第一金属层170的路径(例如接地环174及接地线路176的路径)刻出例如对应接地环174及接地线路176的线路沟槽，使此线路沟槽上的非导电的金属复合物破坏而释放对还原金属化具有高活性的重金属晶核，接着，再对激光刻划后的基板110进行选择性电镀，以在线路沟槽上直接化镀及电镀而形成第一金属层170(例如接地环174及接地线路176)。因此，依上述处理所形成的第一金属层170的下表面会低于基板110的表面。此外，在本实施例中，覆盖第一接垫152及第二接垫153的部分第一金属层170可通过直接电镀而形成，而直接形成于基板110上的接地环174再通过上述的激光活化处理以进行化镀及电镀而形成。
综上所述，本发明实施例的封装结构先以激光在基板上形成多个开口，以暴露内嵌于基板内的引线框架的接垫，使设置于基板上的芯片可电性连接至被暴露的接垫。因此，本发明实施例可有效简化处理，提升处理效率。并且，依此处理所形成的封装结构可无须在基座和/或基板内添加激光、等离子体或机械刀具可激活的金属氧化物，因而可降低生产成本。
此外，本发明实施例的基座及基板可通过模塑的方式定型，故对其厚度及外型上具有较大的设计弹性，进而可轻易将基座/基板的厚度控制在100微米以下，因此，本发明的封装结构不仅可提升其设计弹性，更可轻易符合细线路的标准，且可有效简化处理步骤及降低生产成本及封装结构的整体厚度。
虽然本发明实施例已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明实施例，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明实施例的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明实施例的保护范围当视后附的申请专利范围所界定的为准。