技术特征：
技术总结
本发明公开了一种光探测器及其制备方法，该方法包括：提供一锗衬底，于所述锗衬底表面形成第一绝缘层和界面钝化层；将形成了第一绝缘层和界面钝化层的锗衬底采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层的支撑衬底上，形成绝缘层上锗结构；减薄所述绝缘层上锗的锗衬底厚度；于所述绝缘层上锗的锗衬底上形成绝缘层上锗/界面钝化层/第三绝缘层结构；于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极。本发明利用绝缘层上锗结构制备光探测器，并且，通过在锗衬底表面和锗衬底‑绝缘层界面同时引入界面钝化层，进一步降低光探测器的暗电流。
技术研发人员：赵毅;玉虓;魏娜;张睿
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2017.05.09
技术公布日：2017.10.20