技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低电容单向TVS器件，包括反向并联的两个低电容二极管，其中一个低电容二极管与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容单向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、氧化、P+型埋层区光刻、硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明通过TVS二极管与低电容二极管的串联，起到了降低器件的电容值作用，保证了电子产品在使用中，不会因为TVS器件的寄生电容过大，影响其正常的工作。
技术研发人员：徐玉豹;邹有彪;童怀志;刘宗贺;廖航;王泗禹;王禺
受保护的技术使用者：安徽富芯微电子有限公司
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.09.15