技术特征：
技术总结
本发明提供一种互连结构及其制造方法，在金属互连结构表面上的非金属化合物层和未掺杂的第二金属化合物层之间增加一掺杂的第一金属化合物层，例如掺硅的氮化铝层，以此增强非金属化合物层和未掺杂的金属化合物层之间粘附力，进而阻挡互连结构中的金属扩散现象，避免在形成所述各个层的过程中出现位于所述金属互连结构层顶部的小丘状凸起，获得较低的线电阻和良好的电迁移性能，提高互连结构的可靠性，进而提高整个集成电路可靠性。
技术研发人员：邓浩
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2018.12.04