改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。

技术研发人员：王娜;李马惠;潘彦廷;王昱玺;陈怡婷;党晓亮;燕聪慧
受保护的技术使用者：陕西源杰半导体技术有限公司
技术研发日：2017.06.12
技术公布日：2017.09.29