技术特征：
技术总结
本发明提供了一种高频三极管及其制作方法。所述高频三极管包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延层、形成于所述P型衬底与所述N型外延层之间的N型埋层、贯穿所述N型外延层与所述N型埋层的沟槽、位于所述沟槽中的集电极引出结构、连接所述集电极引出结构的集电极、形成于所述N型外延层表面的基区、形成于所述基区表面的发射区、连接所述发射区的发射极、及连接所述基区的基极，所述集电极引出结构包括位于所述沟槽内壁的低磷扩散低阻层及位于所述沟槽中所述低磷扩散低阻层内侧的第一多晶硅，所述第一多晶硅为高浓P掺杂的低阻多晶硅。
技术研发人员：罗灿
受保护的技术使用者：罗灿
技术研发日：2017.07.14
技术公布日：2017.09.15