技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，包括自上到下依次AlN层、深紫外外延结构、反光镜层、过渡金属层及导电衬底，其中，深紫外外延结构包括第一深紫外外延结构及第二深紫外外延结构，反光镜层包括第一反光镜层及第二反光镜层，该LED器件及其制备方法能够有效的解决金属过渡层制作成本高、粘附性差及剥离过程中易出现断裂的问题，同时有效的解决了转移后AlN层去除的技术难题。
技术研发人员：云峰;张烨;田振寰
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2017.08.24
技术公布日：2018.01.19