技术特征：
技术总结
一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。
技术研发人员：葛贝夫·辛格;李智铭;林其谚;郭文昌;刘洲宗
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.09.15
技术公布日：2018.11.13