倍频器及其制备方法与流程

文档序号:13879884阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种倍频器及其制备方法。该方法包括:步骤1,在栅极导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀漏极和源极,获得双极性场效应管作为倍频器;所述倍频器以有机小分子层作为P型有源层,以氧化物半导体层作为N型有源层。本发明以电学性能相匹配的有机小分子和氧化物半导体形成双极性场效应管作为倍频器,使得倍频器具有良好的性能同时输出信号能量纯度更高。此外,本发明采用的材料易于获取,因此可大规模生产倍频器以满足倍频器的工业需求量。

技术研发人员:江潮;李默林;王嘉玮
受保护的技术使用者:国家纳米科学中心
技术研发日:2017.09.29
技术公布日:2018.03.06
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