技术特征：
技术总结
一种方法包括在半导体鳍上形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方形成栅电极。栅电极在半导体鳍的侧壁和顶面上延伸。在栅电极的侧壁上选择性地沉积栅极间隔件。栅极介电层的暴露部分不含有与用于形成沉积在其上的栅极间隔件相同的材料。该方法还包括使用栅极间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻栅极介电层，以暴露半导体鳍的部分，并且基于半导体鳍形成外延半导体区。本发明的实施例还涉及晶体管的形成方法。
技术研发人员：李凯璿;游佳达;杨正宇;王圣祯;赖柏宇;卢柏全;徐志安;杨世海;杨丰诚;陈燕铭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.10.16
技术公布日：2018.11.02