技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，包括以下步骤:首先，采用MOCVD技术，在衬底上依次生长未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层和有源层；然后，在有源层上生长电流阻挡层，注入Mg源；最后，在电流阻挡层上依次生长P型低温GaN层和P型高温GaN层。利用本发明的方法可制造出具有特殊电流阻挡层的LED外延结构，能够有效避免电子溢出至P型低温GaN层和P型高温GaN层，同时有利于空穴扩展，能够显著提高空穴浓度以及大幅提升晶体亮度。
技术研发人员：马昆旺;吴质朴;何畏;陈强
受保护的技术使用者：江门市奥伦德光电有限公司
技术研发日：2017.10.24
技术公布日：2018.02.23