一种高效发光二极管芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管的技术领域，特别提供一种高效发光二极管芯片。
【背景技术】
[0002]发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展，近年来发光二极管的利用领域迅速扩展。随着LED行业竞争越来越激烈，提高发光二极管的亮度及降低成本成为其重要方向。
[0003]为了使得芯片的亮度及可靠性更好，目前传统的芯片包括在P型电极下面的电流阻挡层(Current Blocking Layer)，N、P电极，以及制作芯片保护层(PV)。然而，传统的芯片不仅所需的工艺流程时间较长，而且芯片的成本和不良率均较高。
【发明内容】
[0004]本发明为解决上述问题，提供了一种高效发光二极管芯片。
[0005]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为:
[0006]—种高效发光二极管芯片，其特征在于:包括
[0007]—衬底；
[0008]—缓冲层，设置于所述衬底上表面；
[0009]—非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
[0010]一 N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
[0011]—有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
[0012]—电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
[0013]— P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
[0014]—P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
[0015]—电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
[0016]— ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
[0017]— P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
[0018]— N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
[0019]—电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
[0020]优选的，还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。
[0021]优选的，所述的电流阻挡层为非导电性材料层。
[0022]优选的，所述非导电性材料层包括SiN、Ti203和Α?2θ3。
[0023]采用上述结构，本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
【附图说明】
[0024]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0025]图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0027]如图1所示，本发明提供一种高效发光二极管芯片，包括
[0028]—衬底；
[0029]一缓冲层，设置于所述衬底上表面；
[0030]—非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
[0031]— N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
[0032]—有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
[0033]—电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
[0034]— P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
[0035]— P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
[0036]—电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
[0037]— ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
[0038]— P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
[0039]— N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
[0040]—电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
[0041]优选的，该高效发光二极管芯片还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面，以对芯片起到保护作用。
[0042]在本实施例中，电流阻挡层材料为非导电性材料层，非导电性材料层优选包括SiN、Ti203和Al2O3等非导电性材料，采用非导电性材料隔阻P电极的电流方向，有效提高电流扩展效果。
[0043]本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
[0044]上述说明示出并描述了本发明的优选实施例，如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种高效发光二极管芯片，其特征在于:包括 一衬底； 一缓冲层，设置于所述衬底上表面； 一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面； 一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面； 一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面； 一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面； 一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面； 一 P型接触层，设置于所述P型导电层上表面； 一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面； 一 ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层； 一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面； 一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及 一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。2.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于:还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。3.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于:所述的电流阻挡层材料为非导电性材料层。4.根据权利要求3所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于:所述非导电性材料层包括 SiNJi2O3 和 AI2O3。
【专利摘要】本发明公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
【IPC分类】H01L33/14, H01L33/36
【公开号】CN105514240
【申请号】CN201510918552
【发明人】林志伟, 陈凯轩, 张永, 卓祥景, 姜伟, 方天足, 陈亮
【申请人】厦门乾照光电股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月10日