半导体装置的制作方法

文档序号:14682079发布日期:2018-06-12 22:28阅读:来源:国知局
技术总结
一种纵型霍尔元件,提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度,且减小偏置电压,该纵型霍尔元件具备:第2导电型的半导体层,设置在第1导电型的半导体衬底上,浓度分布恒定;第2导电型的杂质扩散层,设置在半导体层上,浓度比半导体层高;多个电极,在杂质扩散层的表面在一条直线上设置,由浓度比杂质扩散层高的第2导电型的杂质区域构成;以及多个第1导电型的电极分离扩散层,在杂质扩散层的表面,分别设置在多个电极的各电极间,使多个电极分别分离。

技术研发人员:飞冈孝明;海老原美香
受保护的技术使用者:艾普凌科有限公司
技术研发日:2017.11.10
技术公布日:2018.06.12

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