半导体器件、制造方法和电子设备与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种半导体器件、制造方法和电子设备，降低了第一区域上方的无机钝化层的厚度，同时增加了第一区域上方的有机钝化层的厚度，从而可以降低寄生电容，改善器件性能。

技术研发人员：陈福刚;茹捷
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.11.10
技术公布日：2019.05.21