阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术：

由于现有电子器件碳基薄膜晶体管研究集中在如何提高半导体薄膜的密度、均匀度，如何调控沟道中载流子的极性，以及如何提高载流子迁移率等性能方面，对有源层与源漏极金属电极的接触电阻研究很少，而接触电阻对调控电子器件的性能有重要影响，例如电子器件开态电流及载流子的迁移率。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，用于减小有源层与源、漏极金属电极的接触电阻，提高电子器件的开态电流以及载流子的迁移率。

本发明提供了一种阵列基板，包括:基板、设于所述基板上的有源层、导电层、源极、漏极，所述导电层设于所述有源层的相对两侧并且与所述有源层接触，所述导电层在所述有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙，所述源极及所述漏极分别设于所述有源层相对两侧的所述导电层上。

其中，所述导电层的材料为石墨烯。

其中，所述基板的表面设有栅极及覆盖所述栅极的栅极绝缘层，所述有源层设于所述栅极绝缘层上。

其中。所述阵列基板还包括绝缘保护层、设于所述绝缘保护层上的栅极及覆盖所述栅极的钝化保护层，所述绝缘保护层覆盖所述源级、所述漏极及所述有源层上的间隙。

其中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙。

本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，彩膜基板及密封于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶分子层。

本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一基板，在所述基板上沉积有源层；

在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层，其中，所述导电层在有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙；

在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极。

其中，在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层的步骤包括：在所述基板上沉积底栅极，在所述底栅极上沉积覆盖所述底栅极的栅极绝缘层。

其中，在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极的步骤还包括在所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙沉积绝缘保护层,在所述绝缘保护层上沉积顶栅极及在所述顶栅极上沉积覆盖所述顶栅极的钝化保护层。

其中，采用光刻胶保护所述有源层上的间隙，将所述基板浸入到导电层溶液中沉积所述导电层，沉积完成后的所述基板在150℃下烘烤30分钟去除多余的导电层溶液，将所述基板干燥。

综上所述，本发明在所述有源层与所述源极以及与所述漏极之间增加一层石墨烯导电层，使所述源极与所述漏极之间形成良好的导电，有效降低所述有源层与所述源极以及所述漏极之间的接触电阻，进而有效提高电子器件的开态电流以及载流子的迁移率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图。

图2是本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图。

图3是本发明实施例三提供的一种阵列基板的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

图5是本发明实施例的阵列基板制作方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供了一种阵列基板，包括:基板10、设于所述基板上的有源层20、导电层30、源极40、漏极50，所述导电层30设于所述有源层20的相对两侧并且与所述有源层20接触，所述导电层30在所述有源层20上形成露出所述有源层20部分表面的间隙，所述源极40及所述漏极50分别设于所述有源层20相对两侧的所述导电层30上。所述导电层30的材料为石墨烯。其有益效果在于：在所述有源层20与所述源极40以及与所述漏极50之间增加一层石墨烯导电层30，使所述源极40与所述漏极50之间形成良好的导电，有效降低所述有源层20与所述源极40以及所述漏极50之间的接触电阻，进而有效提高电子器件的开态电流以及载流子的迁移率。

本发明的第一实施例中，所述基板10的表面设有底栅极60及覆盖所述底栅极60的栅极绝缘层70，所述栅极绝缘层70用于将所述栅极60与所述有源层20绝缘，所述有源层20设于所述栅极绝缘层70上。

所述阵列基板还包括绝缘层80，所述绝缘层80覆盖所述源极40、所述漏极50及所述有源层上的间隙。

在本实施例中，所述基板10包括但不限于硅片、石英、玻璃以及柔性塑料；所述底栅极60包括但不限于铜、钼、铝及铟锡氧化物。

所述栅极绝缘层70以及绝缘层80包括但不限于二氧化硅、氧化石墨烯以及有机绝缘材料；所述有源层20包括但不限于半导体碳纳米管纳米碳基材料以及掺杂石墨烯纳米碳基材料。

请参阅图2，本发明的第二实施例中，所述阵列基板还包括绝缘保护层90、设于所述绝缘保护层90上的顶栅极100及覆盖所述顶栅极100的钝化保护层110，所述绝缘保护层90覆盖所述源极40、所述漏极50及所述有源层20上的间隙。

在本实施例中，所述基板10包括但不限于硅片、石英、玻璃以及柔性塑料；所述顶栅极100包括但不限于铜、钼、铝及铟锡氧化物。

所述绝缘保护层90以及钝化保护层110包括但不限于二氧化硅、氧化石墨烯以及有机绝缘材料；所述有源层20包括但不限于半导体碳纳米管纳米碳基材料以及掺杂石墨烯纳米碳基材料。

请参阅图3，本发明的第三实施例中，所述基板10的表面设有底栅极60及覆盖所述底栅极60的栅极绝缘层70，所述栅极绝缘层70用于将所述底栅极60与所述有源层20绝缘，所述有源层20设于所述栅极绝缘层70上。

所述阵列基板还包括绝缘层80及设于所述绝缘层80上的顶栅极100，所述绝缘层80覆盖所述源极40、所述漏极50及所述有源层上的间隙。

在本实施例中，所述基板10包括但不限于硅片、石英、玻璃以及柔性塑料；所述底栅极60及所述顶栅极100包括但不限于铜、钼、铝及铟锡氧化物。

所述栅极绝缘层70以及绝缘层80包括但不限于二氧化硅、氧化石墨烯以及有机绝缘材料；所述有源层20包括但不限于半导体碳纳米管纳米碳基材料以及掺杂石墨烯纳米碳基材料。

请参阅图4，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，彩膜基板120及密封于所述阵列基板与彩膜基板120之间的液晶分子层130。

所述液晶分子层130通过扭转可以控制射出显示屏的光线亮度。所述彩膜基板120结合所述液晶分子层40可以调节三原色的光亮，得到需要的彩色显示。

请参阅图5，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤1，提供一基板10，在所述基板10上沉积有源层20。所述有源层20的材料为碳纳米管纳米碳基材料。

步骤2，在所述有源层20的相对两侧形成与所述有源层20接触的导电层30，其中，所述导电层30在有源层20上形成露出所述有源层20部分表面的间隙。所述导电层30的材料为石墨烯。

步骤3，在所述有源层20相对两侧的所述导电层30上分别形成源极40及漏极50。

在所述有源层20的相对两侧形成与所述有源层20接触的导电层30的步骤包括：在所述基板10上沉积底栅极60，在所述底栅极60上沉积覆盖所述底栅极60的栅极绝缘层70。

进一步地，在所述有源层20相对两侧的所述导电层30上分别形成源极40及漏极50的步骤还包括在所述源极40、所述漏极50及所述有源层上的间隙上沉积绝缘层80，及在所述绝缘层80上沉积顶栅极100。

在所述有源层20相对两侧的所述导电层30上分别形成源极40及漏极50的步骤还包括在所述源极40、所述漏极50及所述有源层20上的间隙沉积绝缘保护层90，在所述绝缘保护层90上沉积顶栅极100及在所述顶栅极100上沉积覆盖所述顶栅极100的钝化保护层110。所述钝化保护层110的材料为二氧化硅。

进一步地，所述底栅极60及所述顶栅极100的制备过程为：采用磁控溅射或电子束蒸发技术在所述基板10上蒸镀一层金属膜，通过光刻胶与化学曝光使所述底栅极60及所述顶栅极100图案化。所述栅极绝缘层70的制备过称为：通过化学气相沉积法在所述底栅极60上沉积一层栅极绝缘层70。

进一步地，所述碳纳米管有源层20的制备过程为：将覆盖有所述栅极绝缘层70的基板10用丙酮、甲醇和异丙醇浸泡冲洗后用氮气吹干，将所述覆盖有所述栅极绝缘层70的基板10浸入到碳纳米管溶液中沉积碳纳米管薄膜，沉积结束后，将所述基板10取出在150℃下烘烤30min，得到碳纳米管网络状薄膜，用氧气等离子体将多余的碳纳米管去除掉。

进一步地，所述石墨烯导电层30的制备方法为：采用光刻胶保护所述有源层20上的间隙，所述基板10浸入到石墨烯溶液中沉积所述石墨烯薄膜，沉积完成后的所述基板10在150℃下烘烤30分钟去除多余的所述石墨烯溶液，将所述基板10干燥。

进一步地，所述源极40及所述漏极50的制备过程为：将沉积有所述石墨烯导电层30的基板10用磁控溅射或电子束蒸发技术沉积一层金属导电膜，通过剥离技术将所述光刻胶及所述光刻胶上的所述石墨烯及金属膜去掉，得到完整的所述碳纳米管有源层间隙、所述石墨烯导电层30、所述源极40及所述漏极50。

进一步地，所述二氧化硅钝化保护层110的制备方法为：在所述源极40、所述漏极50及所述有源层上的间隙用化学气相沉积法覆盖二氧化硅作为钝化保护层110。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。