技术特征:
技术总结
本发明提供一种开关元件的制造方法,包括如下工序:在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部;使p型的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长;将所述体层的表层部除去,使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内;形成通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出的第二n型半导体层;及形成隔着绝缘膜与所述体层对向的栅电极。
技术研发人员:山田哲也;上田博之;森朋彦
受保护的技术使用者:丰田自动车株式会社
技术研发日:2017.12.15
技术公布日:2018.07.03