技术总结
本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性，以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子，同时以较低浓度的C补偿剩余的n型背景载流子或中和过补偿的p型载流子，从而获得高晶体质量的高阻III族氮化物外延层。本公开的高阻III族氮化物半导体外延结构在降低杂质掺入浓度、提高氮化物晶体质量的同时，降低了外延材料的漏电流、提高了外延材料的击穿电压。
技术研发人员：李晋闽;谭晓宇;姬小利;马平;李喜林;魏同波
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.12.18
技术公布日：2018.06.01