一种HJT异质结电池及其多层透明导电薄膜的制作方法

技术特征：

1.一种多层透明导电薄膜，其特征在于，所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜，至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10-15重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量％且＜10重量％。

2.根据权利要求1所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，还包括第三层ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜、所述第二层ITO薄膜和所述第三层ITO薄膜按顺序设置，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量≥1重量％且＜5重量％，或为10-15重量％。

3.根据权利要求2所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量为5重量％，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量为3重量％。

4.根据权利要求2所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，还包括第四层ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜、所述第二层ITO薄膜、所述第三层ITO薄膜和所述第四层ITO薄膜按顺序设置，所述第四层ITO薄膜的锡的掺量为10-15重量％。

5.根据权利要求4所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量为5重量％，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量为3重量％，所述第四层ITO薄膜的锡的掺量为10重量％。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，每一层ITO薄膜的厚度在15-50nm的范围内。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的多层透明导电薄膜，其特征在于，每一层ITO薄膜的折射率n在1.8-2.0的范围内，禁带宽度在3.0-4.6eV的范围内，载流子浓度在(1-10)×10²⁰cm^-3的范围内，载流子迁移率在10-50cm²/vs的范围内。

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中，维持真空状态；

在真空条件下连续制备多层ITO薄膜的步骤选自下述方式中的任意一种：采用磁控溅射法在真空条件下连续制备多层ITO薄膜；或者

采用磁控溅射法在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，其中，所述磁控溅射法采用的气体为氧气与氩气的混合气，并且氧气与氩气的体积流量比为0-3:97，溅射功率为2-8kW，制备过程所采用的腔室的本底真空度控制在≥5×10^-4Pa的范围内。

9.一种HJT异质结电池，其特征在于，所述HJT电池包括根据权利要求1-8中任一项所述的多层透明导电薄膜。

10.根据权利要求9所述的HJT异质结电池，其特征在于，所述HJT异质结电池的一面包括至少两层叠加的透明导电薄膜，另一面包括至少三层叠加的透明导电薄膜。

11.根据权利要求10所述的HJT异质结电池，其特征在于，所述HJT异质结电池还包括晶体硅层(1)、本征非晶硅层(2)、第一非晶硅层(3)、第二非晶硅层(4)和栅线(6,7)，所述晶体硅层(1)具有第一表面和第二表面；

所述HJT异质结电池的一面包括多层透明导电薄膜(5)，另一面包括多层透明导电薄膜(5’)，所述多层透明导电薄膜(5)设置有四层透明导电薄膜，所述多层透明导电薄膜(5’)设置有三层透明导电薄膜；

所述本征非晶硅层(2)、所述第二非晶硅层(4)、所述多层透明导电薄膜(5)的第四层ITO薄膜(5-4)、第三层ITO薄膜(5-3)、第二层ITO薄膜(5-2)、第一层ITO薄膜(5-1)和所述栅线6按从内到外的顺序依次设置在所述晶体硅层(1)的第一表面上；

所述本征非晶硅层(2)、所述第一非晶硅层(3)、所述多层透明导电薄膜(5’)的第三层ITO薄膜(5-3’)、第二层ITO薄膜(5-2’)、第一层ITO薄膜(5-1’)和所述栅线7按从内到外的顺序依次设置在所述晶体硅层(1)的第二表面上。

12.根据权利要求11所述的HJT异质结电池，其特征在于，所述多层透明导电薄膜(5)的第一层ITO薄膜(5-1)的锡的掺量为10重量％，第二层ITO薄膜(5-2)的锡的掺量为5重量％，第三层ITO薄膜(5-3)的锡的掺量为3重量％，第四层ITO薄膜(5-4)的锡的掺量为10重量％；

所述多层透明导电薄膜(5’)的第一层ITO薄膜(5-1’)的锡的掺量为10重量％，第二层ITO薄膜(5-2’)的锡的掺量为5重量％，第三层ITO薄膜(5-3’)的锡的掺量为3重量％。

13.根据权利要求11或12所述的HJT异质结电池，其特征在于，所述晶体硅层(1)为n型晶体硅层；

所述第一非晶硅层(3)为p型非晶硅层，所述第二非晶硅层(4)为n型非晶硅层。