技术特征：
技术总结
本发明涉及用于形成交叉点存储器的置换材料工艺。本发明揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含：通过选择性地移除所述牺牲线的牺牲材料并用硫属化物材料置换所述牺牲线而形成在所述第一方向上延伸的硫属化物线。
技术研发人员：宗沅·李;詹保罗·斯帕迪尼;斯蒂芬·W·鲁塞尔;德辰·郭
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2015.03.25
技术公布日：2018.07.13