技术总结
本实用新型公开了一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构，包括传统Meader L‑bridge结构单元、增强型AI‑EBG结构单元、新型嵌入式EBG结构单元，EBG金属电源层的顶部刻蚀有矩形细槽，金属接地板位于介质层的底部，且为底部的表面层上，EBG金属电源层位于介质层的顶部，且为顶部的表面层上，传统Meader L‑bridge结构单元中内嵌设置有增强型AI‑EBG结构结构单元，新型嵌入式EBG结构单元仅在电源平面进行内嵌，地平面则保持完整。本实用新型通过在传统的Meader L‑bridg结构的中心刻蚀四个完全相同且中心对称的矩形细槽，实现了超带宽抑制SSN的设计，具有超带宽抑制能力，且能抑制同步开关噪声，通过内嵌的思想，构建新型EBG结构，增加了抑制带宽，优化了Meader L‑bridgeEBG结构的抑制能力。
技术研发人员：靳蒙蒙;胡华清;孙志敏
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201720232112
技术研发日：2017.03.10
技术公布日：2017.09.19